SYSTEMS AND METHODS FOR HYBRID PIN PBSE MID-WAVELENGTH INFRARED (MWIR) PHOTODETECTORS

• Main Authors: PARK, Jeung Hun, DAHL, Russell, KIM, Richard S
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 26.10.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Methods and systems are provided for photodetectors employing a hybrid PIN or PN Lead Selenium (PbSe) junction. In some examples, the PbSe junction can include one or more semiconducting layers, including n-type layers, n+-type layers, p(i)-type layers, and/or p+- type layers, as a list of non-limiting examples. Photodetectors employing PbSe PIN or PN junctions are created. Also disclosed are methods for preparing photo-sensitive PbSe semiconducting layers for detection of electromagnetic energy (e g., mid-wavelength infrared (MWIR)). L'invention concerne des procédés et des systèmes pour des photodétecteurs employant une jonction hybride PNI ou PN plomb-sélénium (PbSe). Selon des exemples, la jonction PbSe peut inclure une ou plusieurs couches semi-conductrices, dont des couches de type n, des couches de type n⁺, des couches de type p(i), et/ou des couches de type p⁺, en tant que liste d'exemples non limitatifs. Des photodétecteurs employant des jonctions PIN ou PN PbSe sont créés. L'invention concerne également des procédés destinés à préparer des couches semi-conductrices photosensibles au PbSe pour la détection d'énergie électromagnétique (p. ex., infrarouge à longueur d'onde moyenne (MWIR)).