CARRIER FOR DOUBLE-SIDED POLISHING, AND SILICON WAFER DOUBLE-SIDED POLISHING METHOD AND DEVICE EMPLOYING SAME

• Main Authors: TAKUBO Shinya, MIKURIYA Shunsuke
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 26.10.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS; GRINDING; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; PERFORMING OPERATIONS; POLISHING; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSPORTING

[Problem] To provide a carrier for double-sided polishing, with which an increase in service life can be achieved by improving wear resistance, and a silicon wafer double-sided polishing method and device employing the same. [Solution] A carrier 10 for double-sided polishing according to the present invention is a member for holding a silicon wafer when performing double-sided polishing of the silicon wafer, and comprises a substantially disk-shaped carrier body comprising a resin laminated plate containing a fiber substrate, and a wafer holding hole 12 formed in the carrier body 11. A fiber exposure rate of a main surface of the carrier body 11 is less than 50%. La présente invention vise à proposer un support pour un polissage double face, au moyen duquel une augmentation de la durée de vie peut être obtenue par amélioration d'une résistance à l'usure, ainsi qu'un procédé et un dispositif de polissage double face de plaquette de silicium l'utilisant. À cet effet, la présente invention concerne un support (10) pour un polissage double face, qui est un élément pour maintenir une plaquette de silicium lors de la réalisation d'un polissage double face de la plaquette de silicium, et comprend un corps de support sensiblement en forme de disque comprenant une plaque stratifiée en résine contenant un substrat de fibres, et un trou de maintien de plaquette (12) formé dans le corps de support (11). Un taux d'exposition de fibres d'une surface principale du corps de support (11) est inférieur à 50 %. 【課題】耐摩耗性の向上により長寿命化を図ることが可能な両面研磨用キャリア及びこれを用いたシリコンウェーハの両面研磨方法及び装置を提供する。 【解決手段】本発明による両面研磨用キャリア１０は、シリコンウェーハを両面研磨する際にシリコンウェーハを保持するための部材であって、繊維基材を含む樹脂積層板からなる略円盤状のキャリア本体１１と、キャリア本体１１に形成されたウェーハ保持孔１２とを備えている。キャリア本体１１の主面の繊維露出率は５０％未満である。