OPTICAL DETECTION DEVICE

• Main Authors: MIZUTA Kyohei, SUGIMOTO Masataka
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 26.10.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

[Problem] To suppress the diffusion of impurities from the pixel boundary side to a photoelectric conversion unit, and improve the degree of freedom in electric field design for the photoelectric conversion unit. [Solution] This optical detection device comprises: a plurality of photoelectric conversion units which are respectively provided to pixels and disposed inside a silicon layer; and a polysilicon layer and an insulating layer which are stacked, along the boundary region of the plurality of photoelectric conversion units, in the depth direction of the plurality of photoelectric conversion units from the side of a surface opposite the light incident surfaces of the plurality of photoelectric conversion units, wherein the boundary surface between the polysilicon layer and the insulating layer has a shape protruding toward the light incident surface. Le problème à résoudre par la présente invention est de supprimer la diffusion des impuretés du côté de la limite de pixel vers une unité de conversion photoélectrique, et d'améliorer le degré de liberté dans la conception de champ électrique pour l'unité de conversion photoélectrique. La solution selon l'invention porte sur un dispositif de détection optique qui comprend : une pluralité d'unités de conversion photoélectrique qui sont respectivement fournies à des pixels et disposées à l'intérieur d'une couche de silicium ; et une couche de polysilicium et une couche isolante qui sont empilées, le long de la région limite de la pluralité d'unités de conversion photoélectrique, dans la direction de profondeur de la pluralité d'unités de conversion photoélectrique à partir du côté d'une surface opposée aux surfaces d'incidence de la lumière de la pluralité d'unités de conversion photoélectrique, la surface limite entre la couche de polysilicium et la couche isolante ayant une forme en saillie vers la surface d'incidence de la lumière. ［課題］画素境界側から光電変換部への不純物の拡散を抑制するとともに、光電変換部の電界設計の自由度を向上する。 ［解決手段］光検出装置は、画素ごとに設けられシリコン層内に配置される複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部の境界領域に沿って、前記複数の光電変換部の光入射面の反対の面側から、前記複数の光電変換部の深さ方向に積層されるポリシリコン層及び絶縁層と、を備え、前記ポリシリコン層と前記絶縁層との界面は、前記光入射面方向に凸形状である。