STORAGE DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD FOR CONTROLLING STORAGE DEVICE

• Main Authors: HOSOMI, Masanori, HIGO, Yutaka, SAKAI, Lui, HIRAGA, Keizo
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 26.10.2023
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

A memory system (1), which is an example of a storage device according to one embodiment of the present disclosure, comprises a magnetoresistive element (120) that has a magnetization direction variable between a first state and a second state through voltage application, a selector element (110) connected to the magnetoresistive element (120), and a write circuit (70), which is an example of a write unit that changes a write voltage to be applied to the magnetoresistive element (120) between a first write voltage for changing the magnetization direction of the magnetoresistive element (120) to the first state and a second write voltage for changing the magnetization direction of the magnetoresistive element (120) to the second state. Un système de mémoire (1), qui représente un exemple d'un dispositif de stockage selon un mode de réalisation de la présente divulgation, comprend un élément magnétorésistif (120) qui présente une variable de direction de magnétisation entre un premier état et un second état par application de tension, un élément sélecteur (110) connecté à l'élément magnétorésistif (120), et un circuit d'écriture (70), qui représente un exemple d'une unité d'écriture qui change une tension d'écriture à appliquer à l'élément magnétorésistif (120) entre une première tension d'écriture pour changer la direction de magnétisation de l'élément magnétorésistif (120) vers le premier état et une seconde tension d'écriture pour changer la direction de magnétisation de l'élément magnétorésistif (120) vers le second état. 本開示に係る一形態の記憶装置の一例であるメモリシステム（１）は、磁化方向が電圧印加により第１状態及び第２状態に可変である磁気抵抗素子（１２０）と、前記磁気抵抗素子（１２０）に接続された選択素子（１１０）と、前記磁気抵抗素子（１２０）に対し、前記磁気抵抗素子（１２０）の前記磁化方向を前記第１状態にする第１書き込み電圧と前記磁気抵抗素子（１２０）の前記磁化方向を前記第２状態にする第２書き込み電圧とを変えて印加する書き込み部の一例である書き込み回路（７０）と、を備える。