SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, COMPOSITION, AND COMPOUND

• Main Authors: NAKATSU, Hiroki, ABE, Shinya, NAGANAWA, Atsuko, YAMADA, Shuhei, KATAGIRI, Takashi, MIYAUCHI, Hiroyuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 19.10.2023
• Subjects: ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS; ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAININGELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN,SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CHEMISTRY; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HETEROCYCLIC COMPOUNDS; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; METALLURGY; ORGANIC CHEMISTRY; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

Provided are: a semiconductor substrate manufacturing method using a resist underlayer film-forming composition from which it is possible to form a film having excellent etching resistance, heat resistance, and bending resistance; a composition; and a compound. This semiconductor substrate manufacturing method comprises a step for directly or indirectly applying a resist underlayer film-forming composition on a substrate, a step for directly or indirectly forming a resist pattern on the resist underlayer film formed in the application step, and a step for performing etching by using the resist pattern as a mask. The resist underlayer film-forming composition contains a solvent and a compound represented by formula (1). (In formula (1), Ar1, Ar2, Ar3, and Ar4 each represent a substituted or unsubstituted monovalent group having an aromatic ring with 5-40 ring members, and at least one thereof has a group represented by formula (1-1) or (1-2).) (In formulae (1-1) and (1-2), Ar5, Ar6, and Ar7 each represent a substituted or unsubstituted aromatic ring that has 6-20 ring members and that forms a fused ring structure.) L'invention concerne : un procédé de fabrication de substrat semi-conducteur utilisant une composition de formation de film de sous-couche de réserve qui permet de former un film ayant une excellente résistance à la gravure, une excellente résistance à la chaleur et une excellente résistance à la flexion ; une composition ; et un composé. Ce procédé de fabrication de substrat semi-conducteur comprend une étape consistant à appliquer directement ou indirectement une composition de formation de film de sous-couche de réserve sur un substrat, une étape consistant à former directement ou indirectement un motif de réserve sur le film de sous-couche de réserve formé dans l'étape d'application, et une étape consistant à effectuer une gravure en utilisant le motif de réserve en tant que masque. La composition de formation de film de sous-couche de réserve contient un solvant et un composé représenté par la formule (1). (Dans la formule (1), Ar1, Ar2, Ar3 et Ar4 représentent chacun un groupe monovalent substitué ou non substitué ayant un cycle aromatique doté de 5 à 40 éléments cycliques, et au moins l'un de ceux-ci a un groupe représenté par la formule (1-1) ou (1-2).) (Dans les formules (1-1) et (1-2), Ar5, Ar6 et Ar7 représentent chacun un cycle aromatique substitué ou non substitué qui est doté de 6 à 20 éléments cycliques et qui forme une structure cyclique fusionnée.) エッチング耐性、耐熱性及び曲がり耐性に優れる膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物を用いる半導体基板の製造方法、組成物及び化合物を提供する。基板に直接又は間接にレジスト下層膜形成用組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成されたレジスト下層膜に直接又は間接にレジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンをマスクとしたエッチングを行う工程とを含み、上記レジスト下層膜形成用組成物が、下記式（１）で表される化合物と、溶媒とを含有する、半導体基板の製造方法。（式（１）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４は、置換又は非置換の環員数５～４０の芳香環を有する１価の基であり、これらの少なくとも１つは、下記式（１－１）又は（１－２）で表される基を有する。）（式（１－１）及び（１－２）中、Ａｒ５、Ａｒ６及びＡｒ７は、縮合環構造を形成する置換又は非置換の環員数６～２０の芳香環である。）