BINNING IN HYBRID PIXEL STRUCTURE OF IMAGE PIXELS AND EVENT VISION SENSOR (EVS) PIXELS

• Main Authors: MI, Hongyi, MOSTAFALU, Pooria, BRADY, Frederick T, HAN, Sungin
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 19.10.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

Binning in a hybrid pixel structure of image pixels and event vision sensor (EVS) pixels. In one embodiment, the imaging sensor includes a pixel array including a plurality of pixel circuits and a plurality of binning transistors. A first portion of the plurality of pixel circuits individually includes an intensity photodiode. A second portion of the plurality of pixel circuits individually includes an event vision sensor (EVS) photodiode. The plurality of binning transistors is configured to bin together at least one of the first portion or the second portion. Compartimentage dans une structure de pixels hybride comportant des pixels d'image et des pixels de capteur de vision événementielle (EVS). Dans un mode de réalisation, le capteur d'imagerie comprend un réseau de pixels comprenant une pluralité de circuits de pixels et une pluralité de transistors de compartimentage. Une première partie de la pluralité de circuits de pixels comprend à titre individuel une photodiode de mesure d'intensité. Une seconde partie de la pluralité de circuits de pixels comprend à titre individuel une photodiode de capteur de vision événementielle (EVS). La pluralité de transistors de compartimentage est conçue pour combiner au moins une partie parmi la première partie ou la seconde partie.