DEPOSITION OF METAL-CONTAINING FILMS AND CHAMBER CLEAN

• Main Authors: GANESAN, Jeya Prakash, BATZER, Rachel E, HAUSMANN, Dennis M, GUO, Tongtong, FUSTER, Hector Aaron, TA, Phuong Kim, AUSTIN, Dustin Zachary, VOLOSSKIY, Boris, JUAREZ, Francisco J, MCKERROW, Andrew John, EDMONDSON, Bryce Isaiah, KWAN, Matthew Palmer, HART, Kyle Watt, WANG, Yuxi, TENCE, David Alan, ERICKSON, Ann, KHOJASTEH, Malak, GONG, Bo, DRAPER, Emile C, JENG, Esther
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 12.10.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Methods of forming a metal-containing layer on a semiconductor substrate are provided and may include performing multiple cycles of (a) co-flowing a metal-containing precursor and a reactant into a processing chamber housing the semiconductor substrate; and (b) after (a), flowing the reactant into a processing chamber housing the semiconductor substrate, wherein the reactant does not react with gas-phase metal-containing precursor. Methods of cleaning the processing chamber are also provided. L'invention concerne des procédés de formation d'une couche contenant du métal sur un substrat semi-conducteur peuvent comprendre la réalisation de multiples cycles de (a) co-écoulement d'un précurseur contenant du métal et d'un réactif dans une chambre de traitement logeant le substrat semi-conducteur ; et (b) après (a), l'écoulement du réactif dans une chambre de traitement logeant le substrat semi-conducteur, le réactif ne réagissant pas avec le précurseur contenant du métal en phase gazeuse. L'invention concerne également des procédés de nettoyage de la chambre de traitement.