THERMOELECTRIC CONVERSION MODULE

Provided is a thin thermoelectric conversion module that does not have a support substrate and a solder layer, wherein electrodes M1 or M2 that are shared between adjacent p-type thermoelectric conversion material chips 3p and n-type thermoelectric conversion material chips 3n are arranged (wired) d...

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Main Authors KATO Kunihisa, MASUMOTO Mutsumi, SEKI Yuta, SUEYOSHI Haruki
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 05.10.2023
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Summary:Provided is a thin thermoelectric conversion module that does not have a support substrate and a solder layer, wherein electrodes M1 or M2 that are shared between adjacent p-type thermoelectric conversion material chips 3p and n-type thermoelectric conversion material chips 3n are arranged (wired) directly onto upper/lower surfaces of the p-type thermoelectric conversion material chips 3p and n-type thermoelectric conversion material chips 3n so as to straddle opposite insulation layers L1, L2 that span gaps between the p-type thermoelectric conversion material chips 3p and n-type thermoelectric conversion material chips 3n. L'invention concerne un module de conversion thermoélectrique mince qui n'a pas de substrat de support et de couche de brasure, des électrodes M1 ou M2 qui sont partagées entre des puces de matériau de conversion thermoélectrique de type p adjacentes 3p et des puces de matériau de conversion thermoélectrique de type n 3n sont agencées (câblées) directement sur des surfaces supérieure / inférieure des puces de matériau de conversion thermoélectrique de type p 3p et des puces de matériau de conversion thermoélectrique de type n 3n de façon à chevaucher des couches d'isolation opposées L1, L2 qui couvrent des espaces entre les puces de matériau de conversion thermoélectrique de type p 3p et les puces de matériau de conversion thermoélectrique de type n 3n. 支持基材及びはんだ層を有さない薄型の熱電変換モジュールを提供するものであり、P型熱電変換材料のチップ3pとN型熱電変換材料のチップ3n間の空隙を跨ぐように対向して配置した絶縁層L1、L2をさらに跨ぐように、隣接するP型熱電変換材料のチップ3pとN型熱電変換材料のチップ3nとの共通の電極M1、又はM2を、P型熱電変換材料のチップ3p及びN型熱電変換材料のチップ3nの上下面に直接配置(配線)する。
Bibliography:Application Number: WO2023JP12719