ELASTIC WAVE DEVICE

• Main Author: HAYASHI, Yasunobu
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 05.10.2023
• Subjects: BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRICITY; IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS

Provided is an elastic wave device which can improve heat resistance and electric power resistance of an IDT electrode.　The elastic wave device 1 is provided with: a piezoelectric substrate 2; and an IDT electrode 3 provided on the piezoelectric substrate 2. When a metal element as a base element is denoted as A, and an element as an additive is denoted as B, the IDT electrode 3 has a layer using an electrode material containing the base element A and the additive B. When x and y each represent an arbitrarily defined positive number, a phase of a compound represented by AxBy is included in a region where the concentration of the additive B is at most 50 at%, in a binary phase diagram of the base element A and the additive B. In the binary phase diagram, when the melting point of the base element A is denoted as Ta, the melting point of the additive B is denoted as Tb, and the melting point of the compound AxBy is denoted as Tc, Ta<Tc and Tb-Ta<300°C are satisfied. In the electrode material, the compound AxBy is segregated in the base element A. In the electrode material, the crystal particle diameter of the base element A and the crystal particle diameter of the compound AxBy are 10-100 nm. L'invention concerne un dispositif à ondes élastiques qui peut améliorer la résistance à la chaleur et la résistance à l'énergie électrique d'une électrode IDT.　Un dispositif à ondes élastiques (1) comporte : un substrat piézoélectrique (2) ; et une électrode IDT (3) disposée sur le substrat piézoélectrique (2). Lorsqu'un élément métallique en tant qu'élément de base est désigné A, et un élément en tant qu'additif est désigné B, l'électrode IDT (3) présente une couche utilisant un matériau d'électrode contenant l'élément de base A et l'additif B. Lorsque x et y représentent chacun un nombre positif défini arbitrairement, une phase d'un composé représenté par AxBy est incluse dans une région où la concentration de l'additif B est d'au plus 50 % atomique, dans un diagramme de phase binaire de l'élément de base A et de l'additif B. Dans le diagramme de phase binaire, lorsque le point de fusion de l'élément de base A est désigné Ta, le point de fusion de l'additif B est désigné Tb, et le point de fusion du composé AxBy est désigné Tc, Ta < Tc et Tb-Ta < 300 °C sont satisfaits. Dans le matériau d'électrode, le composé AxBy est séparé dans l'élément de base A. Dans le matériau d'électrode, le diamètre de particule cristalline de l'élément de base A et le diamètre de particule cristalline du composé AxBy sont de 10 à 100 nm. ＩＤＴ電極の耐熱性及び耐電力性を高めることができる、弾性波装置を提供する。　弾性波装置１は、圧電性基板２と、圧電性基板２上に設けられているＩＤＴ電極３とを備える。ＩＤＴ電極３は、母元素である金属元素をＡ、添加物である元素をＢとしたときに、母元素Ａ及び添加物Ｂを含む電極材料が用いられた層を有する。ｘ及びｙを任意の正数としたときに、母元素Ａ及び添加物Ｂの２元状態図における、添加物Ｂの濃度が５０ａｔ％以下である領域において、ＡｘＢｙにより表わされる化合物の状態が含まれる。２元状態図において、母元素Ａの融点をＴａ、添加物Ｂの融点をＴｂ、化合物ＡｘＢｙの融点をＴｃとしたときに、Ｔａ＜Ｔｃであり、かつＴｂ－Ｔａ＜３００℃である。電極材料において、母元素Ａ中に化合物ＡｘＢｙが偏析している。電極材料において、母元素Ａの結晶粒径及び化合物ＡｘＢｙの結晶粒径が、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下である。