SEMICONDUCTOR DEVICE FOR POWER AMPLIFICATION

• Main Authors: MOTOYOSHI, Kaname, SENSHU, Yoshiteru, KAWASHIMA, Katsuhiko, KANDA, Yusuke
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 05.10.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device (1) for power amplification comprises: a substrate (10); a lower surface electrode (64); a semiconductor layer (20); a source electrode (60); a drain electrode (50); a gate electrode (40); and a field plate (80). The semiconductor layer (20) is partitioned into active regions (31) and element separation regions (30). A channel region is composed of a plurality of unit channel regions (90) divided by the element separation regions (30) and arranged side by side in the Y-axis direction in a plan view. The source electrode (60) is composed of a plurality of unit source electrodes facing the respective unit channel regions (90). The field plate (80) is composed of a plurality of unit plates (81) facing the respective unit channel regions (90). A plurality of plate driving lines (82) extend in the X-axis direction and electrically connect the plurality of unit source electrodes and the plurality of unit plates (81). At least one of the plate driving lines (82) is provided to each of the unit plates (81) in the range of the element separation regions (30). La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur (1) pour une amplification de puissance qui comprend : un substrat (10) ; une électrode de surface inférieure (64) ; une couche semi-conductrice (20) ; une électrode de source (60) ; une électrode de drain (50) ; une électrode de grille (40) ; et une plaque de champ (80). La couche semi-conductrice (20) est divisée en régions actives (31) et en régions de séparation d'élément (30). Une région de canal est composée d'une pluralité de régions de canal unitaires (90) divisées par les régions de séparation d'élément (30) et agencées côte à côte selon la direction de l'axe Y dans une vue en plan. L'électrode de source (60) est composée d'une pluralité d'électrodes de source unitaires faisant face aux régions de canal unitaires respectives (90). La plaque de champ (80) est composée d'une pluralité de plaques unitaires (81) faisant face aux régions de canal unitaires respectives (90). Une pluralité de lignes d'attaque de plaque (82) s'étendent selon la direction de l'axe X et connecte électriquement la pluralité d'électrodes de source unitaires et la pluralité de plaques unitaires (81). Au moins l'une des lignes d'attaque de plaque (82) est disposée sur chacune des plaques unitaires (81) dans la plage des régions de séparation d'élément (30). 電力増幅用半導体装置（１）は、基板（１０）と、下面電極（６４）と、半導体層（２０）と、ソース電極（６０）と、ドレイン電極（５０）と、ゲート電極（４０）と、フィールドプレート（８０）と、を備える。半導体層（２０）は、活性領域（３１）と素子分離領域（３０）とに区分される。チャネル領域は、平面視で素子分離領域（３０）によってＹ軸方向に分割されて並ぶ複数の単位チャネル領域（９０）である。ソース電極（６０）は、複数の単位チャネル領域（９０）のそれぞれに対面した複数の単位ソース電極である。フィールドプレート（８０）は、複数の単位チャネル領域（９０）のそれぞれに対面した複数の単位プレート（８１）である。Ｘ軸方向に延伸し、複数の単位ソース電極と複数の単位プレート（８１）とをそれぞれ電気的に接続する複数のプレート駆動線（８２）が、素子分離領域（３０）の範囲内に単位プレート（８１）毎に１以上設けられている。