NONVOLATILE STORAGE DEVICE AND NONVOLATILE STORAGE SYSTEM

• Main Authors: KINOSHITA Yoshihiko, NARITAKE Isao, OJIRO Tsukasa, SHIMADA Tomoko, NAGAMATSU Kenichi, MOTOMURA Tetsuo, SHIMOYAMA Kazuhiko, KURANO Takanori, KOYANAGI Tomotsune, ISHIKAWA Nobuyuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 05.10.2023
• Subjects: ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

[Problem] Provided are a nonvolatile storage device and a nonvolatile storage system that are capable of suppressing at least one of a current supply amount and variation obtained when simultaneous breakdown of a plurality of memory cells is caused to occur. [Solution] A nonvolatile storage device comprising a plurality of first signal lines, a plurality of second signal lines intersecting with the plurality of first signal lines, a memory cell array having a plurality of memory cells arranged at intersection point portions between the plurality of first signal lines and the plurality of second signal lines, and a plurality of switching elements that brings an end portion of each of the plurality of first signal lines and a power supply into a connected state or a disconnected state, wherein two or more switching elements among the plurality of switching elements can simultaneously be brought into the connected state at the write time of the memory cells. [Problème] Fournir un dispositif de stockage non volatil et un système de stockage non volatil qui sont capables de supprimer une quantité d'alimentation en courant et/ou une variation obtenue lorsqu'une défaillance simultanée d'une pluralité de cellules de mémoire est amenée à se produire. [Solution] Un dispositif de stockage non volatil comprenant une pluralité de premières lignes de signal, une pluralité de secondes lignes de signal croisant la pluralité de premières lignes de signal, un réseau de cellules de mémoire comportant une pluralité de cellules de mémoire agencées au niveau de parties de point d'intersection entre la pluralité de premières lignes de signal et la pluralité de secondes lignes de signal, et une pluralité d'éléments de commutation qui amènent une partie d'extrémité de chacune de la pluralité de premières lignes de signal et une alimentation électrique dans un état connecté ou un état déconnecté, deux éléments de commutation ou plus parmi la pluralité d'éléments de commutation pouvant simultanément être amenés dans l'état connecté au moment de l'écriture des cellules de mémoire. ［課題］複数のメモリセルを同時にブレークダウンさせる際の電流供給量及び変動の少なくとも一方の抑制が可能な不揮発性記憶装置、及び不揮発性記憶システムを提供する。 ［解決手段］不揮発性記憶装置は、複数の第１信号線と、複数の第１信号線に交差する複数の第２信号線と、複数の第１信号線と複数の第２信号線との交差点部に配置されるメモリセルを複数有するメモリセルアレイと、複数の第１信号線の端部のそれぞれと電源とを接続状態又は非接続状態とする複数のスイッチング素子と、を備え、複数のスイッチング素子のうちの２以上のスイッチング素子は、メモリセルの書き込み時に同時に接続状態になることが可能である。