GRAPHENE PHOTODETECTOR

• Main Authors: HASHISAKA Masayuki, WAKAMURA Taro, YOSHIOKA Katsumasa, KUMADA Norio
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 05.10.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A graphene photodetector (100) according to the present invention comprises a gate electrode (106) for controlling the Fermi level of graphene (104), wherein the graphene photodetector (100) is characterized in that the gate electrode (106) is composed of ZnO. Providing the graphene photodetector according to the present invention makes it possible to realize an ultrafast photodetector in which the 3 dB bandwidth exceeds 200 GHz. Un photodétecteur en graphène (100) selon la présente invention comprend une électrode de grille (106) destinée à à commander le niveau de Fermi du graphène (104), le photodétecteur en graphène (100) étant caractérisé en ce que l'électrode de grille (106) est composée de ZnO. Grâce au photodétecteur en graphène selon la présente invention, il est possible d'obtenir un photodétecteur ultrarapide dans lequel la largeur de bande à 3 dB dépasse 200 GHz. 本発明のグラフェン光検出器（１００）は、グラフェン（１０４）のフェルミ準位を制御するためのゲート電極（１０６）を備えるグラフェン光検出器（１００）において、前記ゲート電極（１０６）は、ZnOからなることを特徴とする。本発明のグラフェン光検出器の提供により、3 dB帯域幅が200 GHzを超える超高速光検出器の実現が可能になる。