PLASMA PROCESSING DEVICE, ANALYSIS DEVICE, AND ANALYSIS PROGRAM

• Main Authors: ISHIDA, Yohei, KANEKO, Kazushi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 21.12.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a plasma processing device, an analysis device, and an analysis program by which plasma processing can be stabilized. In a plasma processing device according to an aspect, each of a first high frequency power supply and a second high frequency power supply generates a pulse, and plasma processing is performed while the load-side impedance of the second high frequency power supply is controlled by a matcher, the plasma processing device comprising: a calculation unit that acquires corresponding reflected wave powers when the first high frequency power supply has generated continuous pulses and the second high frequency power supply has generated intermittent pulses under different setting parameters, and that calculates index values indicating the states of the reflected waves; and a determination unit that, on the basis of variations in each of the calculated index values, determines a setting parameter that is designated in the first high frequency power supply and the second high frequency power supply, and also derives a range that is excluded from the object of calculation when an index value that is used for controlling the matcher is calculated. L'invention concerne un dispositif de traitement au plasma, un dispositif d'analyse et un programme d'analyse par lesquels un traitement au plasma peut être stabilisé. Dans un dispositif de traitement au plasma selon un aspect, chacune d'une première alimentation électrique haute fréquence et d'une seconde alimentation électrique haute fréquence génère une impulsion, et un traitement au plasma est effectué tandis que l'impédance côté charge de la seconde alimentation électrique haute fréquence est commandée par un dispositif de mise en correspondance, le dispositif de traitement au plasma comprenant : une unité de calcul qui acquiert des puissances d'onde réfléchies correspondantes lorsque la première alimentation électrique haute fréquence a généré des impulsions continues et la seconde alimentation électrique haute fréquence a généré des impulsions intermittentes sous différents paramètres de réglage, et qui calcule des valeurs d'indice indiquant les états des ondes réfléchies; et une unité de détermination qui, sur la base de variations dans chacune des valeurs d'indice calculées, détermine un paramètre de réglage qui est désigné dans la première alimentation électrique haute fréquence et la seconde alimentation électrique haute fréquence, et dérive également une plage qui est exclue de l'objet de calcul lorsqu'une valeur d'indice qui est utilisée pour commander le dispositif de mise en correspondance est calculée. プラズマ処理を安定化させる、プラズマ処理装置、解析装置及び解析プログラムを提供する。一態様としてのプラズマ処理装置は、第１高周波電源及び第２高周波電源それぞれがパルスを発生し、整合器が前記第２高周波電源の負荷側のインピーダンスを制御しながらプラズマ処理を実行するプラズマ処理装置であって、異なる設定パラメータのもとで前記第１高周波電源が連続パルスを発生し、前記第２高周波電源が間欠パルスを発生した際の、対応する反射波のパワーを取得し、反射波の状態を示す指標値を算出する算出部と、算出された指標値それぞれのばらつきに基づき、前記第１高周波電源及び前記第２高周波電源に指定する設定パラメータを決定するとともに、前記整合器の制御に用いる指標値を算出する際の算出対象から除外する範囲を導出する決定部とを有する。