TEMPERATURE DETECTION DEVICE AND SEMICONDUCTOR PROCESSING DEVICE

• Main Authors: YAN, Weilin, MAEDA, Kenji, KUROSAKI, Yosuke
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 21.09.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention provides a temperature detection device capable of detecting the temperature of a semiconductor wafer with high precision. In the present invention, when standardizing the spectrum of light that has been measured with a light detector, a controller uses a wavelength corresponding to the band gap energy of a semiconductor at absolute zero as a local minimum wavelength and determines the minimum value of light intensity in a region of wavelengths shorter than the local minimum wavelength to be a local minimum value; uses a wavelength corresponding to the difference in the thermal energy and band gap energy of the semiconductor at the highest temperature assumed for a temperature measurement range as a first maximum wavelength and determines a value which is obtained by taking the difference of the local minimum value from the maximum value of light intensity in the region of wavelengths shorter than the first maximum wavelength as a local maximum value; and, with respect to the spectrum of light that has been measured, performs standardization by dividing by the local maximum value after performing processing regarding the difference from the local minimum value. La présente invention concerne un dispositif de détection de température capable de détecter la température d'une tranche de semi-conducteur avec une précision élevée. Dans la présente invention, lors de la normalisation du spectre de lumière qui a été mesuré avec un détecteur de lumière, un dispositif de commande utilise une longueur d'onde correspondant à l'énergie de bande interdite d'un semi-conducteur à zéro absolu en tant que longueur d'onde minimale locale et détermine la valeur minimale d'intensité de lumière dans une région de longueurs d'onde plus courte que la longueur d'onde minimale locale comme étant une valeur minimale locale ; utilise une longueur d'onde correspondant à la différence d'énergie thermique et d'énergie de bande interdite du semi-conducteur à la température la plus élevée prise pour une plage de mesure de température en tant que première longueur d'onde maximale et détermine une valeur qui est obtenue en prenant la différence de la valeur minimale locale à partir de la valeur maximale d'intensité de lumière dans la région de longueurs d'onde plus courte que la première longueur d'onde maximale en tant que valeur maximale locale ; et, par rapport au spectre de lumière qui a été mesuré, effectue une normalisation en divisant par la valeur maximale locale après la réalisation d'un traitement concernant la différence par rapport à la valeur minimale locale. 高い精度で半導体ウエハの温度を検出可能な温度検出装置を提供する。コントローラは、光検出器で測定された光のスペクトルを規格する際に、絶対零度での半導体のバンドギャップエネルギーに相当する波長を極小波長として、極小波長よりも短波長領域における光強度の最小値を極小値に定め、温度測定範囲として想定される最高温度での半導体のバンドギャップエネルギーと熱エネルギーとの差に相当する波長を第１の最大波長として、第１の最大波長より短波長領域における光強度の最大値から極小値の差分をとった値を極大値に定め、測定された光のスペクトルに対して極小値との差分処理を行った上で極大値で除算することによって規格化する。