POWER MODULE SEMICONDUCTOR PACKAGE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: ROKUBUICHI, Hodaka, HARADA, Kozo
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 21.09.2023
• Subjects: APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CONTROL OR REGULATION THEREOF; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERATION; SEMICONDUCTOR DEVICES

A power module semiconductor package (1) comprises a substrate (5), a first power semiconductor element (17), a second power semiconductor element (41), a heat spreader (31), and a sealing resin (53). In a plan view of the substrate (5) as viewed from a second main surface (5b) thereof, the first power semiconductor element (17) is provided with a region (18) that does not overlap with the second power semiconductor element (41) or the substrate (5). The non-overlapping region (18) is located in a substrate opening (7) of the substrate (5). A first signal terminal (37a) and a first signal electrode (21) of the first power semiconductor element (17) are electrically connected by a first bonding wire (47) through the substrate opening (7). L'invention concerne un boîtier de semi-conducteur de module de puissance (1) qui comprend un substrat (5), un premier élément semi-conducteur de puissance (17), un second élément semi-conducteur de puissance (41), un dissipateur thermique (31) et une résine d'étanchéité (53). Dans une vue en plan du substrat (5) telle qu'observée depuis une seconde surface principale (5b) de celui-ci, le premier élément semi-conducteur de puissance (17) est pourvu d'une région (18) qui ne chevauche pas le second élément semi-conducteur de puissance (41) ni le substrat (5). La région sans chevauchement (18) est située dans une ouverture de substrat (7) du substrat (5). Une première borne de signal (37a) et une première électrode de signal (21) du premier élément semi-conducteur de puissance (17) sont électriquement connectées par un premier fil de liaison (47) par l'ouverture de substrat (7). パワーモジュール半導体パッケージ（１）は、基板（５）、第１パワー半導体素子（１７）、第２パワー半導体素子（４１）、ヒートスプレッダ（３１）および封止樹脂（５３）等を備えている。基板（５）における第２主面（５ｂ）から見た平面視において、第１パワー半導体素子（１７）には、第２パワー半導体素子（４１）および基板（５）とは重ならない領域（１８）を備えている。重ならない領域（１８）は、基板（５）における基板開口部（７）に位置する。その基板開口部（７）を介して、第１パワー半導体素子（１７）の第１信号電極（２１）と第１信号端子（３７ａ）とが、第１ボンディングワイヤ（４７）によって電気的に接続されている。