SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS

Provided is a solid-state imaging device with which it is possible to suppress reflection and color mixing at the surface of a semiconductor substrate. The solid-state imaging device according to the present technology comprises: a semiconductor substrate on which a photoelectric conversion element...

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Main Authors TANAKA Hiroshi, NOUDO Shinichiro
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 14.09.2023
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Summary:Provided is a solid-state imaging device with which it is possible to suppress reflection and color mixing at the surface of a semiconductor substrate. The solid-state imaging device according to the present technology comprises: a semiconductor substrate on which a photoelectric conversion element is formed; and a plurality of layers containing, in the given order from the semiconductor substrate side, a first transparent dielectric layer, a semiconductor layer, and a second transparent dielectric layer. According to this solid-state imaging device, it is possible to provide a solid-state imaging device with which it is possible to suppress reflection and color mixing at the surface of a semiconductor substrate. L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui permet de supprimer la réflexion et le mélange de couleurs à la surface d'un substrat semi-conducteur. Le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs selon la présente technologie comprend : un substrat semi-conducteur sur lequel un élément de conversion photoélectrique est formé ; et une pluralité de couches contenant, dans l'ordre donné à partir du côté substrat semi-conducteur, une première couche diélectrique transparente, une couche semi-conductrice et une seconde couche diélectrique transparente. Selon ce dispositif d'imagerie à semi-conducteurs, il est possible de fournir un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui permet de supprimer la réflexion et le mélange de couleurs à la surface d'un substrat semi-conducteur. 半導体基板の表面での反射及び混色を抑制できる固体撮像装置を提供する。 本技術に係る固体撮像装置は、光電変換素子が形成された半導体基板と、第1透明誘電体層、半導体層及び第2透明誘電体層を前記半導体基板側からこの順に含む複数の層と、を備える。本技術に係る固体撮像装置によれば、半導体基板の表面での反射及び混色を抑制できる固体撮像装置を提供することができる。
Bibliography:Application Number: WO2023JP01635