SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: IWAMATSU, Toshiaki, KOYAMA, Akihiro
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 07.09.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This semiconductor device comprises: a field insulating film (10) that contacts a first gate electrode (9) formed in a termination trench (7) and is formed from the inside to the outside of the termination trench (7) while covering the top of a termination trench top corner (7a) distant from a gate trench (6) in an extending direction of the gate trench (6), the field insulating film having a thickness that is greater than the thickness of a gate insulating film (8); and a second gate electrode (13) that contacts the top of the field insulating film (10) and the top of the first gate electrode (9) formed in the termination trench (7), and rides up on the field insulating film (10) from the inside to the outside of the termination trench (7) in the extending direction of the gate trench (6). With this configuration, it is possible to prevent breakdown of the gate insulating film (8) formed on the termination trench top corner (7a) distant from an active region (40) in a gate lead-out portion (70). L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant : un film d'isolation de champ (10) qui entre en contact avec une première électrode de grille (9) formée dans une tranchée de terminaison (7) et est formé de l'intérieur vers l'extérieur de la tranchée de terminaison (7) tout en recouvrant la partie supérieure d'un coin supérieur de tranchée de terminaison (7a) distant d'une tranchée de grille (6) dans une direction d'extension de la tranchée de grille (6), le film d'isolation de champ ayant une épaisseur qui est supérieure à l'épaisseur d'un film d'isolation de grille (8) ; et une seconde électrode de grille (13) qui entre en contact avec la partie supérieure du film d'isolation de champ (10) et la partie supérieure de la première électrode de grille (9) formée dans la tranchée de terminaison (7), et se déplace vers le haut sur le film d'isolation de champ (10) de l'intérieur vers l'extérieur de la tranchée de terminaison (7) dans la direction d'extension de la tranchée de grille (6). Avec cette configuration, il est possible d'empêcher la rupture du film d'isolation de grille (8) formé sur le coin supérieur de tranchée de terminaison (7a) à distance d'une région active (40) dans une partie de sortie de grille (70). 半導体装置は、終端トレンチ（７）に形成された第１ゲート電極（９）に接し、ゲートトレンチ（６）の延伸方向においてゲートトレンチ（６）から遠い方の終端トレンチ上端角部（７ａ）の上方を覆って終端トレンチ（７）の内側から外側に渡り形成され、厚さがゲート絶縁膜（８）の厚さよりも厚いフィールド絶縁膜（１０）と、フィールド絶縁膜（１０）の上と終端トレンチ（７）に形成される第１ゲート電極（９）の上とに接し、ゲートトレンチ（６）の延伸方向において終端トレンチ（７）の内側から外側に渡ってフィールド絶縁膜（１０）に乗り上げる第２ゲート電極（１３）とを備える構成により、ゲート引き出し部（７０）において活性領域（４０）から遠い方の終端トレンチ上端角部（７ａ）に形成されたゲート絶縁膜（８）の破壊を防止できる。