PLASMA PROCESSING METHOD

• Main Authors: KUWAHARA Kenichi, MATSUI Miyako
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 07.09.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention provides a plasma processing method wherein a protective film for suppressing etching is formed only on a desired material within a pattern and the pattern is subsequently subjected to etching. This plasma processing method for plasma etching a film to be etched, the film being formed on a sample, comprises: a cleaning step in which the surface of the sample is cleaned; a protective film formation step in which a protective film is selectively formed on a desired material in a pattern that is formed on the film to be etched; an oxidation step in which the protective film is oxidized after the protective film formation step; and an etching step in which the film to be etched is subjected to plasma etching. La présente invention concerne un procédé de traitement par plasma dans lequel un film protecteur pour supprimer la gravure est formé uniquement sur un matériau souhaité à l'intérieur d'un motif et le motif est ensuite soumis à une gravure. Ce procédé de traitement par plasma pour la gravure au plasma d'un film à graver, le film étant formé sur un échantillon, comprend : une étape de nettoyage dans laquelle la surface de l'échantillon est nettoyée ; une étape de formation de film protecteur dans laquelle un film protecteur est formé sélectivement sur un matériau souhaité dans un motif qui est formé sur le film à graver ; une étape d'oxydation dans laquelle le film protecteur est oxydé après l'étape de formation de film protecteur ; et une étape de gravure dans laquelle le film à graver est soumis à une gravure au plasma. パターン内の所望の材料上のみにエッチングを抑制するための保護膜を形成して、パターンをエッチング処理するプラズマ処理方法を提供する。試料に成膜された被エッチング膜をプラズマエッチングするプラズマ処理方法は、前記試料の表面を清浄化する清浄化工程と、所望の材料に対して選択的に保護膜を前記被エッチング膜に形成されたパターンに形成する保護膜形成工程と、前記保護膜形成工程の後、前記保護膜を酸化させる酸化工程と、前記被エッチング膜をプラズマエッチングするエッチング工程と、を有する。