SOLID-STATE IMAGING ELEMENT

• Main Authors: TANAKA Fumiya, YONETA Yasuhito, TAKAGI Shin-ichiro, YAMADA Atsunori
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 31.08.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

This solid-state imaging element comprises: a semiconductor substrate; a first element part formed on the semiconductor substrate; and a second element part formed on the semiconductor substrate. The first element part has: a light receiving unit that generates an electric charge in response to the incidence of light; and a transfer unit that transfers the electric charge. The transfer unit has: a first transfer electrode and a second transfer electrode that are disposed on an electric-charge transfer region of the semiconductor substrate, and that are aligned in an electric-charge transfer direction; and a discharge gate electrode that is disposed on an electric-charge discharge region of the semiconductor substrate, the region extending along the electric-charge transfer region. The first transfer electrode is formed as a first layer, and the second transfer electrode and the discharge gate electrode are formed as a second layer. The first transfer electrode includes a section overlapping with a section of the second transfer electrode and a section overlapping with a section of the discharge gate electrode. The second transfer electrode is away from the discharge gate electrode. L'invention concerne un élément d'imagerie à semi-conducteur comprenant: un substrat semi-conducteur; une première partie d'élément formée sur le substrat semi-conducteur; et une seconde partie d'élément formée sur le substrat semi-conducteur. La première partie d'élément comporte: une unité de réception de lumière qui génère une charge électrique en réponse à l'incidence de la lumière; et une unité de transfert qui transfère la charge électrique. L'unité de transfert comprend: une première électrode de transfert et une seconde électrode de transfert qui sont disposées sur une région de transfert de charge électrique du substrat semi-conducteur, et qui sont alignées dans une direction de transfert de charge électrique; et une électrode de grille de décharge qui est disposée sur une région de décharge de charge électrique du substrat semi-conducteur, la région se prolongeant le long de la région de transfert de charge électrique. La première électrode de transfert est formée en sous la forme d'une première couche, et la seconde électrode de transfert et l'électrode de grille de décharge sont formées sous la forme d'une seconde couche. La première électrode de transfert comprend une section chevauchant une section de la seconde électrode de transfert et une section chevauchant une section de l'électrode de grille de décharge. La seconde électrode de transfert est éloignée de l'électrode de grille de décharge. 固体撮像素子は、半導体基板と、半導体基板に形成された第１素子部と、半導体基板に形成された第２素子部と、を備える。第１素子部は、光の入射に応じて電荷を発生する受光部と、電荷を転送する転送部と、を有する。転送部は、半導体基板の電荷転送領域上に配置されており、電荷の転送方向に並んでいる第１転送電極及び第２転送電極と、電荷転送領域に沿った半導体基板の電荷排出領域上に配置された排出ゲート電極と、を有する。第１転送電極は第１層として形成されており、第２転送電極及び排出ゲート電極は第２層として形成されている。第１転送電極は、第２転送電極の一部と重なる部分、及び排出ゲート電極の一部と重なる部分を含む。第２転送電極は、排出ゲート電極から離間している。