SEMICONDUCTOR NANOPARTICLES AND METHOD FOR PRODUCING SAME

• Main Authors: KUWABATA, Susumu, UEMATSU, Taro
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 24.08.2023
• Subjects: ADHESIVES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSESC01D OR C01F; DYES; ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INORGANIC CHEMISTRY; MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE; METALLURGY; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS; NATURAL RESINS; OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS; OPTICS; PAINTS; PHYSICS; POLISHES; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a method for producing semiconductor nanoparticles that exhibit band-edge luminescence and have an emission spectrum with a narrow half-width. The method for producing semiconductor nanoparticles comprises: preparing a first mixture containing an organic solvent and at least one compound selected from the group consisting of compounds having an indium (In)-sulfur (S) bond and compounds having a gallium (Ga)-sulfur (S) bond; adjusting the first mixture to a first temperature in the range of 40-180°C, and then mixing with a solution containing a silver (Ag) salt and an organic solvent to obtain a second mixture including composite particles of silver sulfide and a sulfide containing at least one of indium and gallium; and heat-treating the second mixture by adjusting the second mixture to a second temperature in the range of 130-240°C, and maintaining the second temperature for one second or more to obtain first semiconductor nanoparticles. L'invention concerne une méthode de production de nanoparticules semi-conductrices qui présentent une luminescence de bord de bande et ont un spectre d'émission ayant une demi-largeur étroite. La méthode de production de nanoparticules semi-conductrices comprend : la préparation d'un premier mélange contenant un solvant organique et au moins un composé choisi dans le groupe constitué par des composés ayant une liaison indium (In)-soufre (S) et des composés ayant une liaison gallium (Ga)-soufre (S) ; l'ajustement du premier mélange à une première température dans la plage de 40 à 180°C, puis le mélange avec une solution contenant un sel d'argent (Ag) et un solvant organique pour obtenir un second mélange comprenant des particules composites de sulfure d'argent et un sulfure contenant de l'indium et/ou du gallium ; et le traitement thermique du second mélange par ajustement du second mélange à une seconde température dans la plage de 130 à 240°C, et le maintien de la seconde température pendant une seconde ou plus pour obtenir des premières nanoparticules semi-conductrices. バンド端発光を示し、発光スペクトルにおける半値幅が狭い半導体ナノ粒子の製造方法が提供される。インジウム（Ｉｎ）－硫黄（Ｓ）結合を有する化合物、及びガリウム（Ｇａ）－硫黄（Ｓ）結合を有する化合物からなる群から選択される少なくとも１種と、有機溶剤と、を含む第１混合物を準備することと、第１混合物を４０℃以上１８０℃以下の範囲にある第１温度に調整し、銀（Ａｇ）塩及び有機溶剤を含む溶液と混合して、硫化銀とインジウム及びガリウムの少なくとも一方を含む硫化物との複合粒子を含む第２混合物を得ることと、第２混合物を１３０℃以上２４０℃以下の範囲にある第２温度に調整し、第２温度を１秒以上保持して第２混合物を熱処理し、第１半導体ナノ粒子を得ることと、を含む半導体ナノ粒子の製造方法である。