SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT

• Main Author: MOCHIDA Atsunori
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.08.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

This semiconductor laser element comprises: a semiconductor laminate that emits a laser beam; an emitting-side protective layer disposed on a laser beam emitting-side end face of the semiconductor laminate; and a non-emitting-side protective layer that is disposed on an end face of the semiconductor laminate on the side opposite from the laser beam emitting-side end face and that reflects the laser beam, wherein the emitting-side protective layer has a control layer that suppresses emitting-side reflectance with respect to the wavelength of the laser beam to a prescribed value or lower, and the control layer has a strain relief layer inhibiting strain associated with the thermal expansion of the control layer. Cet élément laser à semi-conducteur comprend : un stratifié semi-conducteur qui émet un faisceau laser ; une couche de protection côté émission disposée sur une face d'extrémité côté émission de faisceau laser du stratifié semi-conducteur ; et une couche de protection côté non-émission qui est disposée sur une face d'extrémité du stratifié semi-conducteur sur le côté opposé à la face d'extrémité côté émission de faisceau laser et qui réfléchit le faisceau laser, la couche de protection côté émission ayant une couche de commande qui supprime la réflectance côté émission par rapport à la longueur d'onde du faisceau laser à une valeur prescrite ou inférieure, et la couche de commande ayant une contrainte d'inhibition de couche de décharge de contrainte associée à l'expansion thermique de la couche de commande. 半導体レーザ素子は、レーザ光を出射する半導体積層体と、前記半導体積層体のレーザ光出射側端面に配置される出射側保護層と、前記半導体積層体の前記レーザ光出射側端面とは反対側の端面に配置され、前記レーザ光を反射させる非出射側保護層と、を備え、前記出射側保護層は、前記レーザ光の波長に対する出射側の反射率を所定値以下に抑制する制御層を有しており、前記制御層は、前記制御層の熱膨張に伴う歪みを抑制する歪緩和層を有する。