PLASMA PROCESSING DEVICE, ANALYSIS DEVICE, PLASMA PROCESSING METHOD, ANALYSIS METHOD, PLASMA PROCESSING PROGRAM, AND ANALYSIS PROGRAM
The present invention searches, in a shorter time period, a plasma generation high frequency for a frequency which minimizes the power of a reflection wave that is reflected from a processing space. The plasma processing device comprises an inference unit which infers a setting frequency of the plas...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
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27.07.2023
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Summary: | The present invention searches, in a shorter time period, a plasma generation high frequency for a frequency which minimizes the power of a reflection wave that is reflected from a processing space. The plasma processing device comprises an inference unit which infers a setting frequency of the plasma generation high frequency by inputting a processing condition during plasma processing to a trained model that has been trained by using training data that includes setting frequencies searched by changing the setting frequency of the plasma generation high frequency and minimizing the power of a reflection wave reflected from a processing space, and includes the processing conditions corresponding to the corresponding setting frequencies, when the plasma processing is performed in each of a plurality of processing conditions.
La présente invention recherche, dans une période de temps plus courte, une haute fréquence de génération de plasma pour une fréquence qui réduit au minimum la puissance d'une onde de réflexion qui est réfléchie par un espace de traitement. Le dispositif de traitement au plasma comprend une unité d'inférence qui déduit une fréquence de réglage de la haute fréquence de génération de plasma en entrant une condition de traitement pendant un traitement au plasma dans un modèle entraîné qui a été entraîné à l'aide de données d'apprentissage qui comprennent des fréquences de réglage recherchées en changeant la fréquence de réglage de la haute fréquence de génération de plasma et en réduisant au minimum la puissance d'une onde de réflexion réfléchie par un espace de traitement, et comprend les conditions de traitement correspondant aux fréquences de réglage correspondantes, lorsque le traitement au plasma est effectué dans chacune d'une pluralité de conditions de traitement.
プラズマ生成用の高周波について、処理空間から反射する反射波のパワーを最小化させる周波数を、より短い時間で探索する。プラズマ処理装置は、複数の処理条件それぞれのもとでプラズマ処理を行った際に、プラズマ生成用の高周波の設定周波数を変化させることで探索された、処理空間から反射する反射波のパワーを最小化させる設定周波数と、該設定周波数に対応する処理条件とを含む学習用データを用いることで学習が行われた学習済みモデルに、プラズマ処理を行う際の処理条件を入力することで、前記プラズマ生成用の高周波の設定周波数を推論する推論部を有する。 |
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Bibliography: | Application Number: WO2023JP00959 |