PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, IMAGING DEVICE AND FULLERENE DERIVATIVE SOLUTION

• Main Authors: KISHIMOTO Yuko, TAKAGI Seiji
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 27.07.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A photoelectric conversion element (10) according to the present invention is provided with a first electrode (2), a second electrode (6) which faces the first electrode (2), and a photoelectric conversion layer (4) which is positioned between the first electrode (2) and the second electrode (6). The photoelectric conversion layer (4) contains a donor semiconductor, a first fullerene derivative, a second fullerene derivative which has a molecular structure that is different from the molecular structure of the first fullerene derivative, and a polymer. Un élément de conversion photoélectrique (10) selon la présente invention est pourvu d'une première électrode (2), d'une seconde électrode (6) qui fait face à la première électrode (2), et d'une couche de conversion photoélectrique (4) qui est positionnée entre la première électrode (2) et la seconde électrode (6). La couche de conversion photoélectrique (4) contient un semi-conducteur donneur, un premier dérivé de fullerène, un second dérivé de fullerène qui a une structure moléculaire qui est différente de la structure moléculaire du premier dérivé de fullerène, et un polymère. 光電変換素子（１０）は、第１電極（２）と、第１電極（２）に対向する第２電極（６）と、第１電極（２）と第２電極（６）との間に位置する光電変換層（４）と、を備える。光電変換層（４）は、ドナー性半導体と、第１フラーレン誘導体と、第１フラーレン誘導体とは分子構造の異なる第２フラーレン誘導体と、高分子と、を含む。