CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE AND INSPECTION METHOD USING SAME

• Main Authors: NAKANO Tomohito, YOKOSUKA Toshiyuki, KAWANO Hajime, TERAO Naho
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 27.07.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY

The present invention provides a charged particle beam device capable of suppressing the influence of charging of a sample on electron trajectories, and achieving both high accuracy and high throughput. This charged particle beam device is characterized by comprising: a scanning deflector that scans an electron beam emitted from a charged particle source; a signal electron deflector that deflects the trajectories of signal electrons emitted from a sample; a plurality of detectors that detect signal electrons obtained on the basis of the electron beam scanning; and a computing unit that creates an image of the sample using the signal electrons detected by the plurality of detectors, the computing unit computing a feature amount from the created image, and deriving, from the feature amount, the amount of influence of charging of the surface of the sample on an electron beam trajectory or signal electron trajectories with respect to each position within a field of view. La présente invention concerne un dispositif à faisceau de particules chargées susceptible d'inhiber l'influence de la charge d'un échantillon sur des trajectoires d'électrons et d'obtenir à la fois une précision élevée et un débit élevé. Ce dispositif à faisceau de particules chargées est caractérisé en ce qu'il comprend : un déflecteur de balayage qui balaye un faisceau d'électrons émis par une source de particules chargées ; un déflecteur d'électrons de signal qui dévie les trajectoires des électrons de signal émis à partir d'un échantillon ; une pluralité de détecteurs qui détectent des électrons de signal obtenus sur la base du balayage de faisceau d'électrons ; et une unité de calcul qui crée une image de l'échantillon à l'aide des électrons de signal détectés par la pluralité de détecteurs, l'unité de calcul calculant une quantité de caractéristiques à partir de l'image créée et dérivant, de la quantité de caractéristiques, la quantité d'influence de charge de la surface de l'échantillon sur une trajectoire de faisceau d'électrons ou des trajectoires d'électrons de signal par rapport à chaque position dans un champ de vision. 試料の帯電による電子軌道への影響を抑制し、高精度・高スループットを両立することが可能な荷電粒子線装置を提供する。荷電粒子源から放出された電子ビームを走査する走査偏向器と、試料から放出される信号電子の軌道を偏向する信号電子偏向器と、前記電子ビームの走査に基づいて得られる信号電子を検出する複数の検出器と、前記複数の検出器で検出された信号電子を用いて前記試料の画像を作成する演算部と、を備え、前記演算部は、作成した画像から特徴量を算出し、前記特徴量から試料表面の帯電が電子ビーム軌道または信号電子軌道に与えた視野内の位置毎の影響量を導出することを特徴とする。