PHOTODETECTOR ELEMENT

• Main Authors: NISHIDA, Mizuki, MURATA, Daisuke, MATSUMOTO, Akira, KASUKAWA, Shuhei
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 13.07.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A photodetector element according to one embodiment of the present disclosure comprises: a semiconductor substrate which has a first surface and a second surface that are opposite each other, and in which a plurality of pixels are arranged in an array in the in-plane direction; a first trench which extends between the first surface and the second surface at approximately the center of each of the plurality of pixels; a first semiconductor layer of a first conductive type, the first semiconductor layer being provided to each of the plurality of pixels and extending between the first surface and the second surface; and a second semiconductor layer of a second conductive type that is opposite the first conductive type, the second semiconductor layer being provided to each of the plurality of pixels and extending between the first surface and the second surface. When a reverse bias voltage is applied, a high electric field region spanning the first surface and the second surface is formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. Un élément photodétecteur selon un mode de réalisation de la présente divulgation comprend : un substrat semi-conducteur qui a une première surface et une seconde surface qui sont opposées l'une à l'autre, et dans lequel une pluralité de pixels sont agencés en un réseau dans la direction dans le plan ; une première tranchée qui s'étend entre la première surface et la seconde surface approximativement au centre de chacun de la pluralité de pixels ; une première couche semi-conductrice d'un premier type conducteur, la première couche semi-conductrice étant disposée sur chacun de la pluralité de pixels et s'étendant entre la première surface et la seconde surface ; et une seconde couche semi-conductrice d'un second type conducteur qui est opposée au premier type conducteur, la seconde couche semi-conductrice étant disposée sur chacun de la pluralité de pixels et s'étendant entre la première surface et la seconde surface. Lorsqu'une tension de polarisation inverse est appliquée, une région de champ électrique élevé recouvrant la première surface et la seconde surface est formée entre la première couche semi-conductrice et la seconde couche semi-conductrice. 本開示の一実施形態の光検出素子は、対向する第１の面および第２の面を有すると共に、面内方向に複数の画素がアレイ状に配置された半導体基板と、複数の画素それぞれの略中央において、第１の面と第２の面との間を延伸する第１のトレンチと、複数の画素それぞれに設けられ、第１の面と第２の面との間を延伸する第１の導電型の第１半導体層と、複数の画素それぞれに設けられ、第１の面と第２の面との間を延伸する第１の導電型とは反対の第２の導電型の第２半導体層とを備え、逆バイアス電圧が印加されたときに、第１半導体層と第２半導体層との間に、第１の面と第２の面との間に亘って高電界領域が形成される。