PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE

• Main Authors: KANOU Taikan, MORIMOTO Kazuhiro, IWATA Junji
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 13.07.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A photoelectric conversion device which has an APD provided to a semiconductor layer having a first surface and a second surface opposite the first surface, and also has a first wiring structure which contacts the second surface, said photoelectric conversion device being characterized in that: the APD has a first semiconductor region of a first conductive type which is provided to a first depth, and a second semiconductor region of a second conductive type which is provided to a second depth which is deeper relative to the second surface than is the first depth; a first pad for imparting a first voltage to the photoelectric conversion device is provided to the first wiring structure; an oxide film and a protective film layered on the oxide film are provided to the second surface of the semiconductor layer; and there is a section which satisfies dsio>(εsio/εprot)×dprot/2, if the thickness of the oxide film is dsio, the thickness of the protective film is dprot, the dielectric constant of the oxide film is εsio, and the dielectric constant of the protective film is εprot. La présente invention concerne un dispositif de conversion photoélectrique qui a une photodiode à avalanche (APD) disposée sur une couche semi-conductrice ayant une première surface et une seconde surface opposée à la première surface, et a également une première structure de câblage qui entre en contact avec la seconde surface, ledit dispositif de conversion photoélectrique étant caractérisé en ce que : l'APD a une première région semi-conductrice d'un premier type conducteur qui est disposée à une première profondeur, et une seconde région semi-conductrice d'un second type conducteur qui est disposée à une seconde profondeur qui est plus profonde par rapport à la seconde surface que la première profondeur ; un premier plot pour communiquer une première tension au dispositif de conversion photoélectrique est disposé sur la première structure de câblage ; un film d'oxyde et un film protecteur stratifié sur le film d'oxyde sont disposés sur la seconde surface de la couche semi-conductrice ; et il y a une section qui satisfait dsio>(εsio/εprot)×dprot/2, si l'épaisseur du film d'oxyde est dsio, l'épaisseur du film protecteur est dprot, la constante diélectrique du film d'oxyde est εsio, et la constante diélectrique du film protecteur est εprot. 第１の面と、前記第１の面に対向する第２の面と、を有する半導体層に配されたＡＰＤと、前記第２面に接する第１配線構造と、を有し、前記ＡＰＤは、第１の深さに配された第１の導電型の第１の半導体領域と、前記第１の深さよりも前記第２の面に対して深い第２の深さに配された第２の導電型の第２の半導体領域と、を有し、該光電変換装置に第１電圧を印加するための第１のパッドが前記第１配線構造に設けられ、前記半導体層の前記第２の面に、酸化膜と、前記酸化膜に積層された保護膜と、が配され、前記酸化膜の厚さをｄｓｉｏ、前記保護膜の厚さをｄｐｒｏｔ、前記酸化膜の比誘電率をεｓｉｏ、前記保護膜の比誘電率をεｐｒｏｔとしたときに、ｄｓｉｏ＞（εｓｉｏ／εｐｒｏｔ）×ｄｐｒｏｔ／２を満たす箇所があることを特徴とする光電変換装置。