NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: TORII Naoki, TAMURA Satoshi, TSURUMI Naohiro, SHIBATA Daisuke
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.07.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This nitride semiconductor device comprises: a substrate; a drift layer; a first high-resistance semiconductor layer; a p-type nitride semiconductor layer; a second high-resistance semiconductor layer; a gate opening portion reaching the drift layer; an electron running layer and an electron supply layer; a gate electrode; a source electrode in contact with the electron supply layer; a source opening portion reaching the p-type nitride semiconductor layer; a potential-fixed electrode provided in contact with the p-type nitride semiconductor layer and connected to the source electrode; a drain electrode; a groove portion provided in a terminus portion of the nitride semiconductor device, penetrating through the p-type nitride semiconductor layer, and reaching the first high-resistance semiconductor layer; and an insulation film covering the gate electrode and the source electrode and provided along an inner surface of the groove portion. The first high-resistance semiconductor layer is a high-resistance AlGaN layer. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur au nitrure comprenant : un substrat ; une couche de dérive ; une première couche semi-conductrice à haute résistance ; une couche semi-conductrice au nitrure de type p ; une seconde couche semi-conductrice à haute résistance ; une partie d'ouverture de grille atteignant la couche de dérive ; une couche de circulation d'électrons et une couche d'alimentation en électrons ; une électrode de grille ; une électrode de source en contact avec la couche d'alimentation en électrons ; une partie d'ouverture de source atteignant la couche semi-conductrice de nitrure de type p ; une électrode fixe de potentiel disposée en contact avec la couche semi-conductrice de nitrure de type p et connectée à l'électrode de source ; une électrode de drain ; une partie de rainure disposée dans une partie terminale du dispositif à semi-conducteur au nitrure, pénétrant à travers la couche semi-conductrice de nitrure de type p, et atteignant la première couche semi-conductrice à haute résistance ; et un film d'isolation recouvrant l'électrode de grille et l'électrode de source et disposé le long d'une surface interne de la partie de rainure. La première couche semi-conductrice à haute résistance est une couche d'AlGaN à haute résistance. 窒化物半導体デバイスは、基板と、ドリフト層と、第１の高抵抗半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、第２の高抵抗半導体層と、ドリフト層にまで達するゲート開口部と、電子走行層および電子供給層と、ゲート電極と、電子供給層に接するソース電極と、ｐ型窒化物半導体層にまで達するソース開口部と、ｐ型窒化物半導体層に接するように設けられ、ソース電極と接続された電位固定電極と、ドレイン電極と、窒化物半導体デバイスの終端部に設けられ、ｐ型窒化物半導体層を貫通し、第１の高抵抗半導体層にまで達する溝部と、ゲート電極およびソース電極を覆い、かつ、溝部の内面に沿って設けられた絶縁膜と、を備える。第１の高抵抗半導体層は、高抵抗ＡｌＧａＮ層である。