LOW RESISTANCE METAL TO SEMICONDUCTOR CONTACTS FOR INTEGRATED NMOS AND PMOS TRANSISTORS

• Main Authors: JEZEWSKI, Christopher J, METZ, Matthew V
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 29.06.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Complementary metal-oxidesemiconductor (CMOS) devices and methods related to selective metal contacts to n-type and p-type source and drain semiconductors are discussed. A p-type metal is deposited on n- and p-type source/drains. The p-type metal is selectively removed from the n-type source/drains but remains on dielectric materials adjacent the n-type source/drains. An n-type metal is deposited on the n-type source/drains while the remaining p-type metal seals the dielectric materials to protect the n-type metal from contamination. The n-type metal is then sealed using another p-type metal. A contact fill material contacts the resultant source and drain contact stacks. L'invention concerne des dispositifs à semi-conducteurs métal-oxyde complémentaire (CMOS) et des procédés associés à des contacts métalliques sélectifs à des semi-conducteurs de source et de drain de type n et de type p. Un métal de type p est déposé sur des source/drain de type n et p. Le métal de type p est sélectivement retiré de la source/drains de type n mais reste sur des matériaux diélectriques adjacents à la source/drains de type n. Un métal de type n est déposé sur la source/drains de type n tandis que le métal de type p restant scelle les matériaux diélectriques pour protéger le métal de type n contre une contamination. Le métal de type n est ensuite scellé à l'aide d'un autre métal de type p. Un matériau de remplissage de contact entre en contact avec les empilements de contacts de source et de drain résultants.