SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS

• Main Authors: TAKAYANAGI Ryohei, HONJO Akiko
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 22.06.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

In the present invention, the occurrence of a short channel effect is suppressed. This semiconductor device comprises: a semiconductor layer having an upper surface part, a lower surface part, and a side surface part; and a field effect transistor in which a channel formation part is provided on the semiconductor layer. The field effect transistor comprises: a gate electrode provided across the upper surface part and the side surface part of the semiconductor layer with a gate insulating film interposed on the channel formation part of the semiconductor layer; and a pair of main electrode regions provided apart from each other sandwiching the channel formation part on the outside of the semiconductor layer in the channel length direction of the channel formation part. Each of the pair of main electrode regions includes a conductor layer provided in contact with the side surface part of the semiconductor layer, for which the layer is different from the semiconductor layer. Dans la présente invention, l'apparition d'un effet de canal court est supprimée. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend : une couche semi-conductrice ayant une partie de surface supérieure, une partie de surface inférieure et une partie de surface latérale ; et un transistor à effet de champ dans lequel une partie de formation de canal est disposée sur la couche semi-conductrice. Le transistor à effet de champ comprend : une électrode de grille située sur la partie de surface supérieure et la partie de surface latérale de la couche semi-conductrice avec un film isolant de grille interposé sur la partie de formation de canal de la couche semi-conductrice ; et une paire de régions d'électrodes principales situées à l'écart l'une de l'autre, prenant en sandwich la partie de formation de canal sur l'extérieur de la couche semi-conductrice dans la direction de la longueur du canal de la partie de formation de canal. Chaque région de la paire de régions d'électrodes principales comprend une couche conductrice en contact avec la partie de surface latérale de la couche semi-conductrice, pour laquelle la couche est différente de la couche semi-conductrice. 短チャネル効果の発生を抑制する。半導体装置は、上面部、下面部及び側面部を有する半導体層と、上記半導体層にチャネル形成部が設けられた電界効果トランジスタと、を備えている。そして、上記電界効果トランジスタは、上記半導体層のチャネル形成部にゲート絶縁膜を介して上記半導体層の上記上面部及び上記側面部に亘って設けられたゲート電極と、上記チャネル形成部のチャネル長方向において上記半導体層の外側に上記チャネル形成部を挟んで互いに離間して設けられた一対の主電極領域と、を備えている。そして、上記一対の主電極領域の各々が、上記半導体層の上記側面部と接して設けられ、かつ上記半導体層とは層が異なる導体層を含む。