FULLERENE DERIVATIVE, n-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL, ORGANIC POWER GENERATION LAYER AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT

• Main Authors: OOTAKI, Keito, NAGAI, Takabumi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 08.06.2023
• Subjects: CHEMISTRY; ELECTRICITY; HETEROCYCLIC COMPOUNDS; METALLURGY; ORGANIC CHEMISTRY

The present invention provides a fullerene derivative that enables a photoelectric conversion element, which comprises an organic power generation layer that uses this fullerene derivative as an n-type semiconductor material, to achieve a high conversion efficiency, while enabling the photoelectric conversion element to maintain the high conversion efficiency for a long period of time. The present invention provides a fullerene derivative which is represented by formula (1). La présente invention concerne un dérivé de fullerène permettant à un élément de conversion photoélectrique, qui comprend une couche organique de production d'énergie utilisant ce dérivé de fullerène comme matériau semi-conducteur de type n, d'atteindre un rendement de conversion élevé, tout en permettant à l'élément de conversion photoélectrique de maintenir le rendement de conversion élevé pendant une longue période de temps. La présente invention fournit un dérivé de fullerène de formule (1). フラーレン誘導体をｎ型半導体材料として用いた有機発電層を備える光電変換素子において、高い変換効率を得ることができ、さらに、長期間高い変換効率を維持することができるフラーレン誘導体を提供する。 下記式（１）で表されるフラーレン誘導体。