PHOTODETECTION DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

• Main Authors: HAYASHI Toshihiko, EBIKO Yoshiki, KANEGUCHI Tokihisa, TAKEO Kenji, MIYOSHI Yasufumi, SHIOYAMA Tadamasa, SATO Naoyuki, MIKI Hokuto, MIZUTA Kyohei, SHIRASU Yoshiki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 01.06.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to the present invention, pixel characteristics are improved. This photodetection device comprises: a semiconductor layer; and first and second separation regions provided to the semiconductor layer. The first separation region includes an insulating film that has a refractive index lower than that of the semiconductor layer and that fills a first hollowed part which extends in the thickness direction of the semiconductor layer. The second separation region includes a conductive film filling a second hollowed part which extends in the thickness direction of the semiconductor layer. Selon la présente invention, des caractéristiques de pixel sont améliorées. Ce dispositif de photodétection comprend : une couche semi-conductrice ; et des première et seconde régions de séparation disposées sur la couche semi-conductrice. La première région de séparation comprend un film isolant qui a un indice de réfraction inférieur à celui de la couche semi-conductrice et qui remplit une première partie évidée qui s'étend dans le sens de l'épaisseur de la couche semi-conductrice. La seconde région de séparation comprend un film conducteur remplissant une seconde partie évidée qui s'étend dans le sens de l'épaisseur de la couche semi-conductrice. 画素特性の向上を図る。光検出装置は、半導体層と、上記半導体層に設けられた第１及び第２分離領域と、を備えている。そして、上記第１分離領域は、上記半導体層の厚さ方向に延伸する第１掘り込み部に充填され、かつ上記半導体層よりも屈折率が低い絶縁膜を含み、上記第２分離領域は、上記半導体層の厚さ方向に延伸する第２掘り込み部に充填された導電膜を含む。