SUBSTRATE PROCESSING METHOD

• Main Authors: OTSUJI, Masayuki, TANAKA, Takayoshi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 25.05.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

In this substrate processing method, a water-repellent treatment is performed on a top surface of a substrate so as to change the contact angle of purified water with respect to a flat surface to 90° or greater, and then a hydrophobic liquid is supplied to the top surface of the substrate, thereby replacing a water repellent-containing liquid on the top surface of the substrate with the hydrophobic liquid (hydrophobic liquid replacement step). After the hydrophobic liquid replacement step, a hydrophilic liquid is supplied to the top surface of the substrate, thereby replacing the hydrophobic liquid on the top surface of the substrate with the hydrophilic liquid (hydrophilic liquid replacement step). After the hydrophilic liquid replacement step, the hydrophilic liquid on the top surface of the substrate is allowed to flow and is removed from the top surface of the substrate, and the top surface of the substrate is thereby dried (drying step). L'invention concerne un procédé de traitement de substrat dans lequel, un traitement hydrofuge est effectué sur une surface supérieure d'un substrat de façon à modifier l'angle de contact de l'eau purifiée par rapport à une surface plate à 90° ou plus, puis un liquide hydrophobe est fourni à la surface supérieure du substrat, ce qui permet de remplacer un liquide contenant un hydrofuge sur la surface supérieure du substrat avec le liquide hydrophobe (étape de remplacement de liquide hydrophobe). Après l'étape de remplacement de liquide hydrophobe, un liquide hydrophile est fourni à la surface supérieure du substrat, ce qui permet de remplacer le liquide hydrophobe sur la surface supérieure du substrat par le liquide hydrophile (étape de remplacement de liquide hydrophile Après l'étape de remplacement de liquide hydrophile, le liquide hydrophile sur la surface supérieure du substrat peut s'écouler et est retiré de la surface supérieure du substrat, et la surface supérieure du substrat est ainsi séchée (étape de séchage). 平坦面に対する純水の接触角を９０°以上に変化させる撥水処理が基板の上面に対して実行された後、基板の上面に疎水性液体を供給することで基板の上面上の撥水剤含有液が疎水性液体で置換される（疎水性液体置換工程）。疎水性液体置換工程の後、親水性液体を基板の上面に供給することで基板の上面上の疎水性液体が親水性液体で置換される（親水性液体置換工程）。親水性液体置換工程の後、基板の上面上の親水性液体を流動させて基板の上面から除去することによって、基板の上面が乾燥する（乾燥工程）。