OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: KAWASAKI Kazushige, OGAWA Nobuyuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 11.05.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

An optical semiconductor device (1) comprises: a semiconductor layer (2) in which a resonator (2r) is formed; a reflection film (2ce) covering both end surfaces (2fe) of the semiconductor layer (2); an electrode pad (31) formed of a stack of metal layers; supports (4) respectively disposed in positions close to the both end surfaces (2fe) on a mounting surface (2ft) and each having a support surface (4fs) with a maximum height from the mounting surface (2ft), the supports (4) supporting a jig when the reflection film (2ce) is coated; and a shield mechanism having a portion higher than a joint surface (3fp), the portion extending between each of sides adjacent to the both end surfaces (2fe) and the joint surface (3fp) so as to cover all of a region in which the joint surface (3fp) is formed in a left-right direction. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur optique (1) qui comprend : une couche semi-conductrice (2) dans laquelle un résonateur (2r) est formé ; un film de réflexion (2ce) recouvrant les deux surfaces d'extrémité (2fe) de la couche semi-conductrice (2) ; un tampon d'électrode (31) formé d'un empilement de couches métalliques ; des supports (4) disposés respectivement dans des positions proches des deux surfaces d'extrémité (2fe) sur une surface de montage (2ft) et présentant chacun une surface de support (4fs) avec une hauteur maximale à partir de la surface de montage (2ft), lesdits supports (4) supportant un gabarit lorsque le film de réflexion (2ce) est revêtu ; et un mécanisme de protection ayant une partie supérieure à une surface de joint (3fp), ladite partie s'étendant entre chacun des côtés adjacents aux deux surfaces d'extrémité (2fe) et la surface de joint (3fp) de manière à recouvrir l'ensemble d'une région dans laquelle la surface de joint (3fp) est formée dans un sens allant de la gauche vers la droite.   光半導体装置（１）は、共振器（２ｒ）が形成された半導体層（２）、半導体層（２）の両端面（２ｆｅ）を覆う反射膜（２ｃｅ）、金属層の積層によって形成された電極パッド（３１）、実装面（２ｆｔ）の両端面（２ｆｅ）に近い位置それぞれに配置され、実装面（２ｆｔ）からの高さが最大となる支持面（４ｆｓ）を有して反射膜（２ｃｅ）をコートする際に治具を支持する支持体（４）、および左右方向において接合面（３ｆｐ）が形成された領域を網羅するように、両端面（２ｆｅ）に隣接する辺と接合面（３ｆｐ）との間それぞれで接合面（３ｆｐ）よりも高い部分が延伸する遮蔽機構を備えるように構成した。