SEMICONDUCTOR DEVICE AND IMAGING DEVICE

• Main Authors: HAYASHI Toshiki, HONJO Akiko, SHIMIZU Akito
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 04.05.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a semiconductor device and an imaging device with improved transistor performance. The semiconductor device comprises a semiconductor substrate and a transistor provided on the semiconductor substrate. The transistor has a gate electrode disposed in a position facing the semiconductor substrate with a gate insulating film of the transistor therebetween, and includes a first portion forming a channel in the semiconductor substrate, and a second portion positioned over the first portion and having a smaller contribution to channel formation than the first portion. The first portion is positioned on the side of one of a drain region and a source region of the transistor, and includes a gate end in which an electric field is concentrated with respect to the one region. The gate end is positioned higher or lower than the surface of the one region via a step portion provided on a first surface side of the semiconductor substrate, and is flush with a side surface of the second portion. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur et un dispositif d'imagerie présentant des performances de transistor améliorées. Le dispositif à semi-conducteur comprend un substrat semi-conducteur et un transistor disposé sur le substrat semi-conducteur. Le transistor a une électrode de grille disposée dans une position faisant face au substrat semi-conducteur avec un film isolant de grille du transistor disposé entre ceux-ci, et comprend une première partie formant un canal dans le substrat semi-conducteur, et une seconde partie positionnée sur la première partie et ayant une plus petite contribution à la formation de canal que la première partie. La première partie est positionnée sur le côté d'une région parmi une région de drain et une région de source du transistor, et comprend une extrémité de grille dans laquelle un champ électrique est concentré par rapport à ladite région. L'extrémité de grille est positionnée au dessus ou au dessous de la surface de ladite région par l'intermédiaire d'une partie étagée disposée sur un premier côté de surface du substrat semi-conducteur, et affleure une surface latérale de la seconde partie. トランジスタの性能向上が可能な半導体装置及び撮像装置を提供する。半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に設けられたトランジスタと、を備える。トランジスタのゲート電極は、トランジスタのゲート絶縁膜を介して半導体基板と向かい合う位置に配置され、半導体基板にチャネルを形成する第１部位と、第１部位上に位置し、第１部位よりもチャネル形成への寄与が小さい第２部位と、を有する。第１部位は、トランジスタのドレイン領域及びソース領域の一方の領域側に位置し、一方の領域に対して電界が集中するゲート端部を有する。ゲート端部は、半導体基板の第１面側に設けられた段差部を介して一方の領域の表面よりも上側又は下側に位置し、かつ、第２部位の側面と面一となっている。