OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP

• Main Authors: WITTMANN, Sebastian, HUETTINGER, Roland, SOBCZYK, Sandra, STAUSS, Peter, MOOSBURGER, Juergen
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 04.05.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An optoelectronic semiconductor chip (1) is described. The optoelectronic semiconductor chip (1) comprises: - an epitaxial semiconductor layer sequence (2) having a first and a second main surface opposite from each other and configured to emit electromagnetic radiation of a first wavelength range, - contact points (3) arranged on the first main surface, and - a layer (4) comprising a low melting glass arranged at the second main surface, wherein the low melting glass comprises at least one heavy metal oxide glass system, and the low melting glass comprises at least one of the following materials: TeO2, Bi2O3. Furthermore, an optoelectronic component (8) comprising said optoelectronic semiconductor chip (1) and a method for producing an optoelectronic semiconductor chip (1) are also described. L'invention concerne une puce optoélectronique à semi-conducteur (1). La puce optoélectronique à semi-conducteur (1) comprend : - une séquence de couches de semi-conducteur épitaxiées (2) ayant une première et une seconde surface principale opposées l'une à l'autre et configurée pour émettre un rayonnement électromagnétique d'une première plage de longueurs d'onde, - des points de contact (3) disposés sur la première surface principale, et - une couche (4) comprenant un verre à bas point de fusion disposé au niveau de la seconde surface principale, le verre à bas point de fusion comprenant au moins un système de verre à base d'oxyde de métal lourd, et le verre à bas point de fusion comprenant au moins l'un des matériaux suivants : TeO2, Bi2O3. L'invention concerne en outre un composant optoélectronique (8) comprenant ladite puce optoélectronique à semi-conducteur (1) et un procédé de fabrication d'une puce optoélectronique à semi-conducteur (1).