QUANTUM DOT LIGHT EMITTING DIODE DEVICE AND PREPARING METHOD OF THE SAME

• Main Authors: YOON, Sung Cheol, KO, Seo Jin, LEE, Seung Hoon, LEE, Ah Yeong, LEE, Chang Jin, EOM, Seung Hun
• Format: Patent
• Language: English; French; Korean
• Published: 20.04.2023
• Subjects: ELECTRICITY

An objective of the present invention is to provide a QD-LED device. Another objective of the present invention is to provide a method for manufacturing a QD-LED device. In order to achieve the above objectives, the present invention provides a QD-LED device and a method for manufacturing same, the QD-LED device comprising: a transparent cathode electrode layer; a surface modification layer disposed on the transparent cathode electrode layer and containing organic compound 1 or organic compound 2; an electron transport layer disposed on the surface modification layer; a quantum dot light-emitting layer disposed on the electron transport layer; a hole transport layer disposed on the quantum dot light-emitting layer; a hole injection layer disposed on the hole transport layer; and an anode electrode layer disposed on the hole injection layer. The present invention has the effect that the electrical and optical characteristics of the device are greatly improved since the surface modification layer is included between the transparent cathode electrode layer and the electron transport layer of the QD-LED device. Un objectif de la présente invention est de fournir un dispositif QD-DEL. Un autre objectif de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication d'un dispositif QD-LED. Afin d'atteindre les objectifs ci-dessus, la présente invention concerne un dispositif QD-LED et son procédé de fabrication, le dispositif QD-LED comprenant : une couche d'électrode cathodique transparente ; une couche de modification de surface présente sur la couche d'électrode de cathode transparente et contenant le composé organique 1 ou le composé organique 2 ; une couche de transport d'électrons présente sur la couche de modification de surface ; une couche électroluminescente à points quantiques présente sur la couche de transport d'électrons ; une couche de transport de trous présente sur la couche électroluminescente à points quantiques ; une couche d'injection de trous présente sur la couche de transport de trous ; et une couche d'électrode d'anode présente sur la couche d'injection de trous. La présente invention a pour effet que les caractéristiques électriques et optiques du dispositif sont grandement améliorées puisque la couche de modification de surface est comprise entre la couche d'électrode de cathode transparente et la couche de transport d'électrons du dispositif QD-DEL. 본 발명의 목적은 QD-LED 소자를 제공하는데 있다. 본 발명의 다른 목적은 QD-LED 소자를 제조하는 방법을 제공하는데 있다. 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 투명 캐소드 전극층; 상기 투명 캐소드 전극층 상에 배치되고, 상기 유기화합물 1 또는 상기 유기화합물 2를 포함하는 표면개질층; 상기 표면개질층 상에 배치되는 전자수송층; 상기 전자수송층 상에 배치되는 퀀텀닷 발광층; 상기 퀀텀닷 발광층 상에 배치되는 정공수송층; 상기 정공수송층 상에 배치되는 정공주입층; 및 상기 정공주입층 상에 배치되는 에노드 전극층을 포함하는 QD-LED 소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, QD-LED 소자의 투명 캐소드 전극층과 전자수송층 사이에 표면개질층이 포함되어, 소자의 전기적 및 광학적 특성이 크게 개선되는 효과가 있다.