SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: ARAI, Chihiro
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 13.04.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention improves the characteristics in a semiconductor device produced from a wafer used in a shared manner in a plurality of production processes.　This semiconductor device comprises a pad opening, a wiring layer, and a dummy pattern. The pad opening in the semiconductor device is formed on the front surface of a substrate. In addition, a predetermined electrode pad is provided to the pad opening in the semiconductor device. A front surface-side wiring layer is formed within the substrate in the semiconductor device. The dummy pattern is formed around a dummy non-formation area passing through the semiconductor device from a rear surface opposite the front surface to the front surface-side wiring layer. La présente invention améliore les caractéristiques d'un dispositif à semi-conducteur produit à partir d'une tranche utilisée d'une manière partagée dans une pluralité de procédés de production.　Ce dispositif à semi-conducteur comprend une ouverture de plot, une couche de câblage et un motif factice. L'ouverture de plot dans le dispositif à semi-conducteur est formée sur la surface avant d'un substrat. De plus, un plot d'électrode prédéterminé est disposé sur l'ouverture de plot dans le dispositif à semi-conducteur. Une couche de câblage côté surface avant est formée à l'intérieur du substrat dans le dispositif à semi-conducteur. Le motif factice est formé autour d'une zone de non formation factice passant à travers le dispositif à semi-conducteur depuis une surface arrière opposée à la surface avant jusqu'à la couche de câblage côté surface avant. 複数の製造工程で共用されるウェハーから製造した半導体装置において、特性を改善する。　半導体装置は、パッド用開口部、配線層、および、ダミーパターンを備える。この半導体装置において、パッド用開口部は、基板の表面に形成される。また、半導体装置において、パッド用開口部には、所定の電極パッドが設けられる。半導体装置において、表面側配線層は、基板内に形成される。半導体装置において、表面に対する裏面から表面側配線層まで貫通するダミー非形成領域の周囲には、ダミーパターンが形成される。