A 3D SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE WITH HEAT SPREADER

• Main Authors: CRONQUIST, Brian, HAN, Jin-Woo, OR-BACH, Zvi
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 30.03.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CALCULATING; COMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHICCOMMUNICATION

A semiconductor device, the device including: a first level including a plurality of first transistors, where at least one of the plurality of first transistors includes a single crystal channel; a first interconnect layer disposed on top of the plurality of first transistors; a plurality of ground lines disposed underneath the plurality of first transistors, the plurality of ground lines connecting from a ground to at least one of the plurality of first transistors; a plurality of power lines disposed underneath the plurality of first transistors, the plurality of power lines connecting from power to at least one of the plurality of first transistors; and a heat conductive material disposed so to be in contact with the plurality of ground lines and the plurality of power lines, where the heat conductive material includes diamond molecules. Dispositif à semi-conducteur, le dispositif comprenant : un premier niveau comprenant une pluralité de premiers transistors, au moins un transistor de la pluralité de premiers transistors comprenant un canal monocristallin ; une première couche d'interconnexion disposée sur la partie supérieure de la pluralité de premiers transistors ; une pluralité de lignes de masse disposées sous la pluralité de premiers transistors, la pluralité de lignes de masse connectant une masse à au moins un transistor de la pluralité de premiers transistors ; une pluralité de lignes d'alimentation disposées sous la pluralité de premiers transistors, la pluralité de lignes d'alimentation connectant l'énergie à au moins un transistor de la pluralité de premiers transistors ; et un matériau conducteur de chaleur disposé de façon à être en contact avec la pluralité de lignes de masse et la pluralité de lignes d'alimentation, le matériau thermoconducteur comprenant des molécules de diamant.