SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

A substrate processing apparatus (100) according to the present invention is provided with a first nozzle (141), a second nozzle (241) and a control unit (102). The first nozzle (141) supplies an etching liquid to the upper surface of a substrate (W). The second nozzle (241) supplies a rinsing liqui...

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Main Authors OKUNO Yasutoshi, OHASHI Yasuhiko, TAKAHASHI Hiroaki
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 30.03.2023
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Summary:A substrate processing apparatus (100) according to the present invention is provided with a first nozzle (141), a second nozzle (241) and a control unit (102). The first nozzle (141) supplies an etching liquid to the upper surface of a substrate (W). The second nozzle (241) supplies a rinsing liquid to the upper surface of the substrate (W). The control unit (102) controls the supply of the etching liquid from the first nozzle (141) and the supply of the rinsing liquid from the second nozzle (241). The control unit (102) causes the first nozzle (141) to eject the etching liquid at least to a first region (R1) of the substrate (W). The control unit (102) causes the second nozzle (241) to eject the rising liquid toward a second region (R2) that is different from the first region (R1) in the radial direction (RD) of the substrate (W) when the first nozzle (141) is ejecting the etching liquid at a position that is inside the second nozzle (241) in the radial direction (RD). Un appareil de traitement de substrat (100) selon la présente invention est pourvu d'une première buse (141), d'une deuxième buse (241) et d'une unité de commande (102). La première buse (141) fournit un liquide de gravure à la surface supérieure d'un substrat (W). La deuxième buse (241) fournit un liquide de rinçage à la surface supérieure du substrat (W). L'unité de commande (102) commande la fourniture du liquide de gravure par la première buse (141) et la fourniture du liquide de rinçage par la deuxième buse (241). L'unité de commande (102) amène la première buse (141) à éjecter le liquide de gravure au moins vers une première région (R1) du substrat (W). L'unité de commande (102) amène la deuxième buse (241) à éjecter le liquide de rinçage vers une deuxième région (R2) qui est différente de la première région (R1) dans la direction radiale (RD) du substrat (W) lorsque la première buse (141) est en train d'éjecter le liquide de gravure à une position qui est à l'intérieur de la deuxième buse (241) dans la direction radiale (RD). 基板処理装置(100)は、第1ノズル(141)と、第2ノズル(241)と、制御部(102)とを備える。第1ノズル(141)は、基板(W)の上面にエッチング液を供給する。第2ノズル(241)は、基板(W)の上面にリンス液を供給する。制御部(102)は、第1ノズル(141)からのエッチング液の供給、及び、第2ノズル(241)からのリンス液の供給を制御する。制御部(102)は、第1ノズル(141)から、少なくとも基板(W)の第1領域(R1)にエッチング液を吐出させる。制御部(102)は、第1ノズル(141)が、第2ノズル(241)よりも基板(W)の径方向(RD)において内側でエッチング液を吐出している際に、第1領域(R1)と径方向(RD)において異なる第2領域(R2)に向けて第2ノズル(241)からリンス液を吐出させる。
Bibliography:Application Number: WO2022JP34560