GERMANIUM AND SILICON STACKS FOR 3D NAND

• Main Authors: ROY, Susmit Singha, MALLICK, Abhijit Basu, CHAE, Sieun
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 23.03.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Exemplary semiconductor processing methods may include providing a silicon-containing precursor to a processing region of a semiconductor processing chamber. A substrate may be disposed within the processing region of the semiconductor processing chamber. The methods may include forming a plasma of the silicon-containing precursor in the processing region and forming a first layer of material on the substrate. The first layer of material may include silicon oxide. The methods may include providing a germanium-containing precursor to the processing region of the semiconductor processing chamber and forming a plasma of the germanium-containing precursor in the processing region. Forming the plasma of the germanium-containing precursor may be performed at a plasma power of greater than or about 500 W. The methods may include forming a second layer of material on the substrate. The second layer of material may include germanium oxide. Des procédés de traitement de semi-conducteurs donnés à titre d'exemple peuvent comprendre la fourniture d'un précurseur contenant du silicium à une région de traitement d'une chambre de traitement de semi-conducteurs. Un substrat peut être disposé à l'intérieur de la région de traitement de la chambre de traitement de semi-conducteurs. Les procédés peuvent comprendre la formation d'un plasma du précurseur contenant du silicium dans la région de traitement et la formation d'une première couche de matériau sur le substrat. La première couche de matériau peut comprendre de l'oxyde de silicium. Les procédés peuvent comprendre la fourniture d'un précurseur contenant du germanium à la région de traitement de la chambre de traitement de semi-conducteurs et la formation d'un plasma du précurseur contenant du germanium dans la région de traitement. La formation du plasma du précurseur contenant du germanium peut être effectuée à une puissance de plasma supérieure ou égale à environ 500 W. Les procédés peuvent comprendre la formation d'une seconde couche de matériau sur le substrat. La seconde couche de matériau peut comprendre de l'oxyde de germanium.