INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

• Main Authors: SAKURAI Yosuke, YAMADA Takuya, HAMASAKI Ryutaro, OZAKI Daisuke, NOGUCHI Seiji
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 23.03.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is an insulated gate bipolar transistor comprising: a base region provided between an emitter region and a drift region; an accumulation region provided between the base region and the drift region and having a higher doping concentration than the drift region; a gate trench portion provided on an upper surface of a semiconductor substrate under the accumulation region; and a lower end region provided in contact with a lower end of the gate trench portion. The accumulation region in a depth direction has a first concentration peak at which the doping concentration shows a maximum value, and the distance between the first concentration peak and the lower end region in the depth direction is less than the distance between the first concentration peak and the base region in the depth direction. L'invention concerne un transistor bipolaire à grille isolée comprenant : une région de base disposée entre une région d'émetteur et une région de dérive; une région d'accumulation disposée entre la région de base et la région de dérive et ayant une concentration de dopage supérieure à celle de la région de dérive; une partie de tranchée de grille disposée sur une surface supérieure d'un substrat semi-conducteur sous la région d'accumulation; et une région d'extrémité inférieure disposée en contact avec une extrémité inférieure de la partie de tranchée de grille. La région d'accumulation dans une direction de profondeur a un premier pic de concentration auquel la concentration de dopage présente une valeur maximale, et la distance entre le premier pic de concentration et la région d'extrémité inférieure dans la direction de profondeur est inférieure à la distance entre le premier pic de concentration et la région de base dans la direction de profondeur. エミッタ領域とドリフト領域との間に設けられたベース領域と、ベース領域とドリフト領域との間に設けられ、ドリフト領域よりもドーピング濃度の高い蓄積領域と、半導体基板の上面から蓄積領域よりも下方まで設けられたゲートトレンチ部と、ゲートトレンチ部の下端に接して設けられた下端領域とを備え、蓄積領域は、深さ方向においてドーピング濃度が最大値を示す第１濃度ピークを有し、第１濃度ピークと下端領域との深さ方向の距離は、第１濃度ピークとベース領域との前記深さ方向の距離よりも小さい、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを提供する。