SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: FUJII, Nobutoshi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 23.03.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention prevents defective embedding of metal in a semiconductor device in which through-vias are formed.　The semiconductor device according to the present invention comprises a substrate, an etching stopper layer, a die, and an isolation film. In this semiconductor device, a rewiring layer is formed on the substrate. The etching stopper layer is formed on a joining surface of the rewiring layer. The die is joined to a partial region of the joining surface with the etching stopper layer therebetween. The isolation film covers the die and the etching stopper layer. La présente invention empêche l'incorporation défectueuse de métal dans un dispositif à semi-conducteurs dans lequel des trous d'interconnexion traversants sont formés.　Le dispositif à semi-conducteurs selon la présente invention comprend un substrat, une couche d'arrêt de gravure, une puce et un film isolant. Dans ce dispositif à semi-conducteurs, une couche de recâblage est formée sur le substrat. La couche d'arrêt de gravure est formée sur une surface de jonction de la couche de recâblage. La puce est jointe à une région partielle de la surface de jonction avec la couche d'arrêt de gravure entre celles-ci. Le film isolant recouvre la puce et la couche d'arrêt de gravure. 貫通ビアが形成される半導体装置においてメタルの埋め込み不良を防止する。　半導体装置は、基板と、エッチングストッパー層と、ダイと、アイソレーション膜とを具備する。この半導体装置において、基板に再配線層が形成される。再配線層の接合面にエッチングストッパー層が形成される。エッチングストッパー層を介して接合面のうち一部の領域にダイが接合される。アイソレーション膜は、ダイおよびエッチングストッパー層を被覆する。