SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND RECORDING MEDIUM

• Main Authors: KURIBAYASHI Koei, OGAWA Arito
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 16.03.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

The present invention makes it possible to improve film characteristics of a metal-based film.　The present invention comprises: (a) a step for supplying, to a substrate, a gas which contains a group 15 element, to form a first layer containing the group 15 element on the surface of the substrate; (b) a step for supplying, to the substrate, a gas which contains elemental Mo; (c) a step for supplying a reducing gas to the substrate; and (d) a step for carrying out (b) and (c) a prescribed number of times in an atmosphere in which decomposition of the first layer is suppressed, to form, on the first layer, a film which contains elemental Mo. La présente invention permet d'améliorer des caractéristiques de film d'un film à base de métal.　La présente invention comprend : (a) une étape consistant à fournir, à un substrat, un gaz qui contient un élément du groupe 15, pour former une première couche contenant l'élément du groupe 15 sur la surface du substrat ; (b) une étape consistant à fournir, au substrat, un gaz qui contient du Mo élémentaire ; (c) une étape consistant à fournir un gaz réducteur au substrat ; et (d) une étape consistant à effectuer (b) et (c) un nombre prescrit de fois dans une atmosphère dans laquelle une décomposition de la première couche est supprimée, pour former, sur la première couche, un film qui contient du Mo élémentaire. 金属系膜の膜特性を向上させることができる。　（ａ）基板に対して、第１５族元素を含むガスを供給し、基板の表面に第１５族元素を含む第１層を形成する工程と、（ｂ）基板に対して、Ｍｏ元素を含むガスを供給する工程と、（ｃ）基板に対して、還元ガスを供給する工程と、（ｄ）第１層の分解を抑制する雰囲気で、（ｂ）と（ｃ）とを所定回数行い、第１層の上に、Ｍｏ元素を含む膜を形成する工程と、を有する。