LASER ANNEALING DEVICE AND LASER ANNEALING METHOD

• Main Authors: SUZUKI Hiroaki, HISHIDA Mitsuoki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 09.03.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A laser annealing device (1) irradiates an amorphous silicon film (W1) with laser light (Li) to perform an annealing process. The laser annealing device comprises: a plurality of laser oscillators (2i) which emit laser light at wavelengths (λi) that differ from each other; a diffraction grating (3) which diffracts the laser light emitted from each of the laser oscillators; and a control unit (6) which switches on/off the emission of laser light from each of the laser oscillators. Each of the laser oscillators is disposed in a different position such that the laser light emitted therefrom is refracted on the same optical axis (A) by the diffraction grating. The control unit is capable of selecting, from among the plurality of laser oscillators, at least one laser oscillator for which emission of laser light is to be switch on, in accordance with an arbitrary crystal grain size of the amorphous silicon film. L'invention concerne un dispositif de recuit laser (1) qui irradie un film de silicium amorphe (W1) avec de la lumière laser (Li) pour effectuer un procédé de recuit. Le dispositif de recuit laser comprend : une pluralité d'oscillateurs laser (2i) qui émettent de la lumière laser à des longueurs d'onde (λi) qui diffèrent l'une de l'autre ; un réseau de diffraction (3) qui diffracte la lumière laser émise à partir de chacun des oscillateurs laser ; et une unité de commande (6) qui active/désactive l'émission de lumière laser à partir de chacun des oscillateurs laser. Chacun des oscillateurs laser est disposé dans une position différente de sorte que la lumière laser émise à partir de celui-ci soit réfractée sur le même axe optique (A) par le réseau de diffraction. L'unité de commande est en mesure de sélectionner, parmi la pluralité d'oscillateurs laser, au moins un oscillateur laser pour lequel l'émission de lumière laser doit être activée, conformément à une taille de grain cristallin arbitraire du film de silicium amorphe. レーザアニール装置（１）は、アモルファスシリコン膜（Ｗ１）にレーザ光（Ｌｉ）を照射してアニール処理する。レーザアニール装置は、互いに異なる波長（λｉ）のレーザ光を出射する複数のレーザ発振器（２ｉ）と、各レーザ発振器から出射されたレーザ光を回折する回折格子（３）と、各レーザ発振器によるレーザ光の出射のオン／オフを切り換える制御部（６）と、を備える。各レーザ発振器は、出射されたレーザ光が回折格子によって同一の光軸（Ａ）上に回折されるように、互いに異なる箇所に配置されている。制御部は、アモルファスシリコン膜の任意の結晶粒サイズに応じて、複数のレーザ発振器の中から、レーザ光の出射をオンにするレーザ発振器を、少なくとも１つ以上選択可能である。