SUBSTRATE TREATMENT METHOD AND SUBSTRATE TREATMENT SYSTEM

• Main Authors: MATSUKI, Katsufumi, UNO, Takashi, SAKAGUCHI, Keisuke, OKAMURA, Naoyuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 02.03.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A substrate treatment system for treating substrates, in which: an etching solution that includes hydrofluoric acid and phosphoric acid is supplied to the surface of a substrate and the surface is etched; the etching solution is recovered after the etching process; the thickness distribution of the etched substrate is measured; and at least either hydrofluoric acid or phosphoric acid is selected and added to the etching solution recovered after etching and the compositional ratio of the etching solution is adjusted, on the basis of the measured thickness distribution. Un système de traitement de substrat pour traiter des substrats, dans lequel : une solution de gravure qui comprend de l'acide fluorhydrique et de l'acide phosphorique est fournie à la surface d'un substrat et la surface est gravée ; la solution de gravure est récupérée après le processus de gravure ; la distribution d'épaisseur du substrat gravé est mesurée ; et au moins l'acide fluorhydrique ou l'acide phosphorique est sélectionné et ajouté à la solution de gravure récupérée après gravure et le rapport de composition de la solution de gravure est ajusté, sur la base de la distribution d'épaisseur mesurée. 基板を処理する基板処理方法であって、フッ酸及びリン酸を含むエッチング液を前記基板の表面に供給して、当該表面をエッチングすることと、エッチング後の前記エッチング液を回収することと、エッチング後の前記基板の厚み分布を測定することと、測定された前記厚み分布に基づいて、エッチング後に回収した前記エッチング液に対し、少なくともフッ酸又はリン酸を選択して追加して、当該エッチング液の組成比率を調整することと、を有する。