SEMICONDUCTOR FILM AND COMPOSITE SUBSTRATE

• Main Authors: WATANABE Morimichi, YOSHIKAWA Jun, SHIBATA Hiroyuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 23.02.2023
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; CRYSTAL GROWTH; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

Provided is an ε-Ga2O3-based semiconductor film in which crack generation is suppressed. This semiconductor film is a circular semiconductor film having as a main phase a crystal composed of ε-Ga2O3- or ε-Ga2O3-based solid solution, wherein an off-angle distribution on the surface of the semiconductor film is 0.25° or less, and where the entire film surface, except for a region within 2 mm from the outer periphery of the semiconductor film, is observed, the number of cracks with a length of 50 μm or more per unit area of 20 cm2 is 20 or less, the two cracks with the shortest distance therebetween of 500 μm or less being considered as one crack. L'invention concerne un film semi-conducteur à base d'ε-Ga2O3 dans lequel la génération de fissures est supprimée. Ce film semi-conducteur est un film semi-conducteur circulaire présentant, en tant que phase principale, un cristal composé d'une solution solide d'ε-Ga2O3- ou à base d'ε-Ga2O3, une distribution d'angle de décalage sur la surface du film semi-conducteur étant de 0,25° ou moins, et où la totalité de la surface du film, à l'exception d'une région à l'intérieur de 2 mm à partir de la périphérie externe du film semi-conducteur, est observée, le nombre de fissures présentant une longueur de 50 µm ou plus par unité de surface de 20 cm2 étant de 20 ou moins, les deux fissures présentant la distance la plus courte entre elles de 500 µm ou moins étant considérées comme une fissure. クラック発生が抑制されたε－Ｇａ２Ｏ３系半導体膜が提供される。この半導体膜は、ε－Ｇａ２Ｏ３、又はε－Ｇａ２Ｏ３系固溶体で構成される結晶を主相とする、円形状の半導体膜であって、半導体膜の表面におけるオフ角分布が０．２５°以下であり、半導体膜の外周から２ｍｍ以内の領域を除いた膜表面の全体を観察した場合に、単位面積２０ｃｍ２当たりの長さ５０μｍ以上のクラックの数が２０個以下である、ただし、あるクラックから別のクラックまでの最短距離が５００μｍ以下の場合は１つのクラックとみなすものとする。