SIGNAL PROCESSING CIRCUIT
This signal processing circuit comprises: a filter circuit that removes noise from a target signal; and a control unit that controls the filter circuit. The filter circuit comprises: a CMOS switch including first and second MOSFETs that have channel types different from each other and that are conne...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
23.02.2023
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Summary: | This signal processing circuit comprises: a filter circuit that removes noise from a target signal; and a control unit that controls the filter circuit. The filter circuit comprises: a CMOS switch including first and second MOSFETs that have channel types different from each other and that are connected in parallel; and a capacitor electrically connected between an output of the CMOS switch and ground potential. The control unit switches the state of the CMOS switch between a first state where the first MOSFET is turned on and a second state where the first MOSFET is turned off and the second MOSFET is turned on. The on-resistance value of the second MOSFET is greater than the on-resistance value of the first MOSFET.
Le circuit de traitement de signal d'après la présente invention comprend : un circuit de filtre qui élimine un bruit d'un signal cible ; et une unité de commande qui commande le circuit de filtre. Le circuit de filtre comprend : un commutateur CMOS contenant des premier et second MOSFET qui ont des types de canaux différents et qui sont raccordés en parallèle ; et un condensateur raccordé électriquement entre une sortie du commutateur CMOS et un potentiel de masse. L'unité de commande commute l'état du commutateur CMOS entre un premier état dans lequel le premier MOSFET est activé et un second état dans lequel le premier MOSFET est désactivé et le second MOSFET est activé. La valeur de résistance à l'état passant du second MOSFET est supérieure à celle du premier MOSFET.
信号処理回路は、対象信号からノイズを除去するフィルタ回路と、フィルタ回路を制御する制御部と、を備える。フィルタ回路は、互いに異なるチャネル型を有する第1MOSFET及び第2MOSFETであって、並列に接続された第1MOSFET及び第2MOSFETを含むCMOSスイッチと、CMOSスイッチの出力と接地電位との間に電気的に接続されたコンデンサと、を備える。制御部は、第1MOSFETがオン状態である第1状態と、第1MOSFETがオフ状態であり第2MOSFETがオン状態である第2状態との間でCMOSスイッチの状態を切り替える。第2MOSFETのオン抵抗値は、第1MOSFETのオン抵抗値よりも大きい。 |
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Bibliography: | Application Number: WO2022JP19943 |