VARIABLE CAPACITANCE ELEMENT

• Main Authors: TAKAMI, Yoshinori, NISHIO, Akihiko
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 09.02.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A variable capacitance element (100) comprises: a substrate (101); a first semiconductor layer (103); a two-dimensional electron gas layer (120); a first electrode (107) including a first terminal; and a second terminal (108), wherein the two-dimensional electron gas layer (120) under the first electrode (107) functions as a second electrode (123), the lower surface of the first electrode (107) is provided such that the distance to the upper surface of the first semiconductor layer (103) monotonically increases along a first direction which is from the first electrode (107) toward the second terminal (108) or along a second direction which is orthogonal to the first direction, and the capacitance value between the first electrode (107) and the second electrode (123) changes according to the voltage applied between the first electrode (107) and the second terminal (108). L'invention concerne un élément à capacité variable (100) comprenant : un substrat (101) ; une première couche semi-conductrice (103) ; une couche de gaz d'électrons bidimensionnel (120) ; une première électrode (107) comprenant une première borne ; et une seconde borne (108), la couche de gaz d'électrons bidimensionnel (120) sous la première électrode (107) fonctionne en tant que seconde électrode (123), la surface inférieure de la première électrode (107) est disposée de telle sorte que la distance par rapport à la surface supérieure de la première couche semi-conductrice (103) augmente de manière monotone le long d'une première direction qui est à partir de la première électrode (107) vers la seconde borne (108) ou le long d'une seconde direction qui est orthogonale à la première direction, et la valeur de capacité entre la première électrode (107) et la seconde électrode (123) change en fonction de la tension appliquée entre la première électrode (107) et la seconde borne (108). 可変容量素子（１００）は、基板（１０１）と、第１半導体層（１０３）と、二次元電子ガス層（１２０）と、第１端子を含む第１電極（１０７）と、第２端子（１０８）と、を有し、第１電極（１０７）の下の二次元電子ガス層（１２０）は第２電極（１２３）として機能し、第１電極（１０７）から第２端子（１０８）に向かう第１方向、または、第１方向に対して直交する第２方向に沿って、第１電極（１０７）の下面は第１半導体層（１０３）の上面との間隔が単調増加するように設けられ、第１電極（１０７）と第２端子（１０８）との間に印加される電圧に応じて第１電極（１０７）と第２電極（１２３）との間の容量値が変化する。