METHOD FOR PRODUCING GROUP III-NITRIDE SEMICONDUCTOR

• Main Authors: KODAMA Kazuki, INABA Masaki, MIYAGI Masahiro, HORI Masaru, ODA Osamu
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 02.02.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

This method for producing a group III-nitride semiconductor comprises a delivery step (S1), a depressurization step (S2), a heating step (S3), a first film-forming step (S5), and a second film-forming step (S6). In the delivery step (S1), a substrate is delivered into a chamber. In the depressurization step (S2), the pressure inside the chamber is lowered. In the heating step (S3), the substrate is heated. In the first film-forming step (S5), a metal organic gas containing a group III element is supplied to the substrate in the chamber, and a first gas containing hydrogen gas and nitrogen gas is put through plasma excitation and supplied to the substrate in the chamber. In the second film-forming step (S6), a metal organic gas containing the group III element is supplied to the substrate in the chamber, and a second gas containing nitrogen gas, but not hydrogen, is put through plasma excitation and supplied to the substrate in the chamber. La présente invention concerne un procédé de production d'un semi-conducteur au nitrure du groupe III qui comprend une étape de distribution (S1), une étape de dépressurisation (S2), une étape de chauffage (S3), une première étape de formation de film (S5) et une seconde étape de formation de film (S6). Au cours de l'étape de distribution (S1), un substrat est distribué à l'intérieur d'une chambre. Au cours de l'étape de dépressurisation (S2), la pression à l'intérieur de la chambre est baissée. Au cours de l'étape de chauffage (S3), le substrat est chauffé. Au cours de la première étape de formation de film (S5), un gaz organique métallique contenant un élément du groupe III est fourni au substrat dans la chambre, et un premier gaz contenant de l'hydrogène gazeux et de l'azote gazeux est introduit par excitation de plasma et fourni au substrat dans la chambre. Au cours de la seconde étape de formation de film (S6), un gaz organique métallique contenant l'élément du groupe III est fourni au substrat dans la chambre, et un second gaz contenant de l'azote gazeux, mais pas d'hydrogène, est introduit par excitation de plasma et fourni au substrat dans la chambre. ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法は搬入工程（Ｓ１）と減圧工程（Ｓ２）と加熱工程（Ｓ３）と第１成膜工程（Ｓ５）と第２成膜工程（Ｓ６）とを備える。搬入工程（Ｓ１）では、チャンバ内に基板を搬入する。減圧工程（Ｓ２）では、チャンバ内の圧力を低下させる。加熱工程（Ｓ３）では、基板を加熱する。第１成膜工程（Ｓ５）では、ＩＩＩ族元素を含む有機金属ガスをチャンバ内の基板に供給し、水素ガスおよび窒素ガスを含む第１ガスをプラズマ励起してチャンバ内の基板に供給する。第２成膜工程（Ｓ６）では、当該ＩＩＩ族元素を含む有機金属ガスをチャンバ内の基板に供給し、水素を含まずに窒素ガスを含む第２ガスをプラズマ励起してチャンバ内の基板に供給する。