REDUCED OPTICAL ABSORPTION FOR SILICON CARBIDE CRYSTALLINE MATERIALS

• Main Authors: BALKAS, Elif, LEONARD, Robert Tyler, O'HARA, Kathryn A, KHLEBNIKOV, Yuri, MALTA, David P, TSVETKOV, Valeri F, BUBEL, Simon
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 22.12.2022
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

Silicon carbide (SiC) crystalline materials and related methods are disclosed that provide SiC crystalline materials with reduced optical absorption. In certain aspects, SiC crystalline materials with reduced absorption coefficients for wavelengths of light within the visible spectrum are disclosed. Various peaks in absorption over a wavelength spectrum may be reduced in SiC crystalline materials to improve overall absorption coefficient uniformity across the visible spectrum. By providing such improvements in absorption coefficients for SiC crystalline materials, reduced reflection and transmission losses of light in corresponding devices may be realized. Related methods are disclosed that include various combinations of crystalline growth, with and without various post-growth thermal conditioning steps. Des matériaux cristallins de carbure de silicium (SiC) et des procédés apparentés sont divulgués qui fournissent des matériaux cristallins de SiC ayant une absorption optique réduite. Selon certains aspects, des matériaux cristallins de SiC ayant des coefficients d'absorption réduits pour les longueurs d'ondes de lumière à l'intérieur du spectre visible sont divulgués. Divers pics d'absorption sur un spectre de longueur d'onde peuvent être réduits dans les matériaux cristallins de SiC pour améliorer l'uniformité de coefficient d'absorption globale à travers le spectre visible. En fournissant de telles améliorations dans les coefficients d'absorption pour des matériaux cristallins de SiC, des pertes réduites de réflexion et de transmission de la lumière dans des dispositifs correspondants peuvent être réalisées. Des procédés connexes qui comprennent diverses combinaisons de croissance cristalline, avec et sans étapes de conditionnement thermique post-croissance variées sont divulgués.